Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
19 Ноя
Высокопроизводительные силовые MOSFET-транзисторы для применения в приложениях с напряжениями до 650 В и токами до 20 A
Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) анонсировала новое семейство мощных MOSFET-транзисторов с улучшенной эффективностью работы, более быстрыми скоростями переключения для приложений, работающих в диапазоне напряжений до 650 В и токами до 20 А.
Новая серия транзисторов TK идеально подойдет для использования в новой и активно развивающейся сфере энергосберегающих приложений, включающую корректоры коэффициента мощности (PFC, Power Factor Correction) и осветительные балласты. В процессе создания новых силовых MOSFET-транзисторов компания Toshiba совмещала прогрессивные методы корпусирования наряду с последними -MOS VII полупроводниковыми технологиями.
Результатом такого подхода явился целый ряд устройств, демонстрирующих улучшенное рассеяние мощности и характеристики силовых циклов работы, минимизированные емкость и заряд затвора (QG), уменьшенное сопротивление открытого канала исток-сток (RDS(ON)) и лучшее соотношение цена/производительность в сравнении с предыдущими поколениями приборов. В заключение, для всех MOSFET-транзисторов гарантируется устойчивость к всплескам стоковых токов.
Отличительные особенности
Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на TK2P60 (англ.)
Документация TK4P60 (англ.)
Подпишись на новости! |