Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
7 Апр
Новая NAND FLASH память выполнена по 24 нм техпроцессу и предназначена для встраиваемых приложений, совместимых с интерфейсом SPI.
Устройство может применяться в таких потребительских продуктах, как плоскопанельные телевизоры, принтеры, носимые устройства, а также в промышленных приложениях, например, в робототехнике. Память выпускается с объемом 1 Гбит, 2 Гбит и 4 Гбит и доступна в корпусах SOP размером 10.3 мм x 7.5 мм и WSON размером 6.0 мм x 8.0 мм. Напряжение питания микросхем составляет 1.8 В и 3.3 В.
Такие функции, как высокоскоростной режим последовательного чтения, наличие аппаратного модуля коррекции ошибок ECC, информирование о переключении бита, а также встроенная защита данных гарантируют быстрый доступ к данным и их безопасное хранение. Последовательный интерфейс SPI с рабочей частотой до 104 МГц позволяет управлять памятью при помощи всего шести выводов, обеспечивая чрезвычайно компактное решение с высокой плотностью данных. Диапазон рабочих температур устройства составляет от -40°C до +85°C, что подходит для большинства потребительских и промышленных приложений.
Внутренняя архитектура TC58Cxxxx |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Краткая документация на TC58Cxxxx (англ.)
Подпишись на новости! |