Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
15 Авг
Компания Toshiba разработала новые 4-выводные силовые MOSFET-транзисторы серии DTMOS IV-H, выполненные в корпусе TO-247 по технологии суперперехода, с рабочим напряжением 600 В.
Такие транзисторы подходят для источников питания с коррекцией коэффициента мощности, построенных по схеме интеллектуальных силовых каскадов и резонансных преобразователей (LLC). Особенностью приборов является низкая величина заряда затвор-сток, оптимизирующая характеристику переключения транзистора. В традиционных 3-выводных корпусах TO-247 паразитная индуктивность вывода истока ведет к увеличению потерь с ростом частоты переключения. Дополнительный вывод истока, называемый истоком Кельвина, позволяет увеличить скорость нарастания тока стока и снизить потери на переключение. При этом уменьшение энергии включенного состояния транзисторя E(ON) достигает величины 15% по сравнению с 3-выводными корпусами.
Транзисторы серии DTMOS IV-H изготавливаются по технологии Deep Trench, обеспечивающей меньшее значение сопротивления открытого канала (RDS(ON)) при высоких рабочих температурах по сравнению с традиционными транзисторами на основе технологии суперперехода. Также технология Deep Trench снижает потери на выключение (EOSS) по отношению к предыдущим поколениям технологий. Перечисленные характеристики позволяют разработчикам достичь более высоких значений КПД источников питания при одновременном уменьшении их размеров.
В настоящее время серия DTMOS IV-H представлена четырьмя транзисторами: TK25Z60X, TK31Z60X, TK39Z60X и TK62Z60X. Все приборы рассчитаны на рабочее напряжение сток-исток 600 В, а их сопротивление RDS(ON) варьируется в пределах от 40 мОм до 125 мОм.
Силовые MOSFET-транзисторы TKxxZ60X |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на TK25Z60X (англ.)
Документация на TK31Z60X (англ.)
Документация на TK39Z60X (англ.)
Документация на TK62Z60X (англ.)
Подпишись на новости! |