Новые MOSFET-транзисторы TK3R1P04PL (40 В), TK4R4P06PL (60 В) и TK6R7P06PL (60 В) выпускаются в компактном корпусе DPAK и идеально подходят для высокоэффективных схем преобразования мощности, таких как AC/DC и DC/DC преобразователи, импульсные источники питания и системы управления электроприводами.

Неизменной популярностью в промышленных приложениях пользуются корпуса DPAK, монтируемые на поверхность печатной платы. Компания Toshiba производит новые транзисторы именно в таких корпусах с изготовлением кристалла по новейшему высокочастотному низковольтному техпроцессу UMOS IX-H. Элемент этого процесса UMOS9 обладает превосходным компромиссным соотношением сопротивления открытого канала и выходного заряда: R_DS(ON) * Q_OSS.

N-канальный MOSFET-транзистор TK3R1P04PL

Отличительные особенности:

• Высокая частота переключения
• Низкий выходной заряд Q_OSS
• Превосходное соотношение сопротивления открытого канала и выходного заряда (R_DS(ON) * Q_OSS)
• Максимальная рабочая температура перехода T_J: +175°C
• Поддержка логических уровней сигналов управления: 4,5 В
• Максимальное сопротивление открытого канала:
  • TK3R1P04PL: 3.1 мОм (при токе стока 58 А и температуре +25ºC)
  • TK4R4P06PL: 4.4 мОм (при токе стока 58 А и температуре +25ºC)
  • TK6R7P06PL: 6.7 мОм (при токе стока 46 А и температуре +25ºC)

Область применения:

• DC/DC преобразователи с высоким КПД
• Импульсные источники питания
• Электроприводы

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на TK3R1P04PL (англ.)

Документация на TK4R4P06PL (англ.)

Документация на TK6R7P06PL (англ.)