MOSFET-транзисторы верхнего и нижнего уровней объединены в одном компактном корпусе. Такое объединение MOSFET-транзисторов позволяет снизить размеры платы и улучшить рабочие характеристики по сравнению с вариантом использования двух дискретных транзисторов.

Благодаря объединению в одном компактном корпусе MOSFET-транзисторов верхнего и нижнего уровней (такая конфигурация используется в DC/DC-преобразователях) с идентичными двум дискретным транзисторам малым сопротивлением открытого канала и большим максимальным током, появляется возможность снизить размеры и себестоимость конечного решения.

Канал VDSS VGS RDS(ON)
@ 10В		 RDS(ON)
@ 4.5В		 QG
(тип.)		 ID
TA=25°C		 ID
TA=70°C
1 20 В ±16 В 8.6 мΩ 10.8 мΩ 9.5 нКл 13.1 А 10.5 А
2 21 В ±16 В 5.8 мΩ 6.6 мΩ 27 нКл 17.3 А 13.9 А

Отличительные особенности

  • MOSFET-транзисторы верхнего и нижнего уровней в одном компактном корпусе размером 6 х 3.7 мм:
    • Минимальное сопротивление открытого канала 5.8 мОм
    • Максимальный рабочий ток >17 А
    • Значительное снижение площади и стоимости, по сравнению с двумя независимыми устройствами
    • Упрощение разводки печатной платы
    • Снижение паразитной индуктивности дорожек печатной платы, увеличение эффективности и снижение переходных процессов
    • Доступность SPICE-моделей, температурных моделей и инструментов симуляции температурных процессов

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SiZ700DT (англ.)

Брошюра: Силовые MOSFET-транзисторы PowerPAIR™ крмпании Vishay (англ.)