Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
24 Ноя
Первый силовой MOSFET-транзистор, выполненный по технологии ThunderFETTM, направленной на снижение сопротивления открытого канала оптимизирован под использование в составе высоковольтных устройств. Новый ThunderFETTM-транзистор SiR880DP является первым силовым MOSFET-транзистором класса 80 В с сопротивления открытого канала, регламентируемым для сигналов управления затвором уровнями 4.5 В. Транзистор выполнен в корпусе PowerPAK® SO-8 и обладает ультранизким сопротивления открытого канала.
SiR880DP оптимизирован для применений в качестве высоковольтного ключа в составе изолированных DC/DC преобразователей для дистанционного питания телекоммуникационных узлов. Очень низкое сопротивление открытого канала обуславливает возможность получение более экологичных и энергосберегающих решений, особенно в условиях небольшой нагрузки, таких как, например, в дежурном режиме. Возможность работы с уровнями управления 4.5 В благоприятна для высокочастотных применений ввиду существенно меньших потерь мощности на управление затвором, особенно в приложениях организации питания через локальную сеть (POL, Power Over LAN) где традиционно используются низковольтные и соответственно дешевые микросхемы 5 В ШИМ-конверторов. До сегодняшнего дня параметры сопротивления открытого канала для MOSFET-транзисторов приводились только для управляющих затворных напряжений уровнями 6 В или выше.
Отличительные особенности
Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SiR880DP (англ.)
Подпишись на новости! |