Компания Vishay Intertechnology представила первое семейство 30-вольтовых силовых N-канальных MOSFET-транзисторов, выполненных по вертикальной технологии нового поколения TrenchFET® Gen IV. Использование новой структуры кристалла с высокой плотностью компоновки ячеек обеспечивает SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN лучший в отрасли показатель сопротивления открытого канала: не более 1.35 мОм при напряжении на затворе 4.5 В, а также низкий общий заряд затвора (до 1.8 нКл). Транзисторы доступны в корпусах PowerPAK® SO-8 и 1212-8.

Инновационные решения, использованные при разработке технологии TrenchFET, основываются на множестве патентов, включая фундаментальные технологические патенты, зарегистрированные в начале 1980-х годов.

Каждое новое поколение технологии TrenchFET выводит на рынок продукты, поднимающие планку эксплуатационных характеристик силовых MOSFET-транзисторов, используемых в широком спектре устройств, таких как компьютеры, коммуникационные системы, потребительская электроника и многие другие приложения. Семейство силовых 30 — вольтовых N-канальных MOSFET-транзисторов, выполненных по технологии следующего поколения компании Vishay TrenchFET® Gen IV, сочетает ряд технологических улучшений в структуре кристалла, технологии обработки пластин и упаковки кристаллов в корпуса, обеспечивая разработчиков современных систем силовой электроники рядом преимуществ, являющихся следствием существенного улучшения характеристик транзисторов. Обеспечивая сокращение площади активной области кристалла более чем на 60% по сравнению с предыдущим поколением устройств, четвертое поколение технологии TrenchFET позволяет создавать транзисторы с лучшим в отрасли показателем сопротивления открытого канала, добиваясь снижения энергопотребления и повышения эффективности. Технология TrenchFET® Gen IV предлагает новую структуру кристалла, отличающуюся повышенной плотностью компоновки без существенного увеличения заряда затвора, позволяя преодолеть проблемы структур, построенных с использованием большого количества элементарных ячеек. Представленные транзисторы отличаются малым полным зарядом затвора, и, следовательно, низким произведением сопротивления открытого канала на заряд затвора, что является ключевым показателем качества MOSFET-транзисторов.

Отличительные особенности:

• Чрезвычайно малое сопротивление канала в открытом состоянии: 1.0 мОм при напряжении затвора 10 В и 1.35 мОм при напряжении затвора 4.5 В (лучший в отрасли показатель)
• Уменьшенные потери проводимости обеспечивают снижение потребления энергии и повышение эффективности
• Высокий коэффициент качества (FOM), определяемый малым значением произведения сопротивления открытого канала на заряд затвора (56 нКл*Ом при напряжении затвора 4.5 В)
• Доступны в корпусах PowerPAK® SO-8 размером 6.15 мм х 5.15 мм, обеспечивающих повышение эффективности и улучшение охлаждения транзистора, и PowerPAK® 1212-8 размером 3.30 мм х 3.30 мм, обеспечивающих минимизацию размеров приложения
• Низкое отношение заряда затвор – сток к заряду затвор – исток (Qgd/Qgs): не более 0.5
• Повышенная устойчивость к лавинному пробою за счет снижения индуцированного напряжения затвора
• 100% тестирование всех устройств на сопротивление затвора (Rg) и процесс выключения при индуктивной нагрузке (UIS)
• Не содержат галогенов в соответствии с требованиями IEC 61249-2-21
• Соответствуют требованиям RoHS

Область применения:

• DC/DC преобразователи с высокой удельной мощностью, синхронные выпрямители, синхронные регуляторы напряжения, приложения с суммированием мощности от нескольких источников питания (OR-ing)
• Импульсные источники питания, модули регулировки напряжения (VRM), преобразователи напряжения в точке приложения нагрузки (POL), телекоммуникационные приложения, персональные компьютеры и серверы

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на SiRA00DP (англ.)

Документация на SiRA02DP (англ.)

Документация на SiRA04DP (англ.)

Документация на SiSA02DN (англ.)