SiR872ADP от компании Vishay отличается от устройств предыдущего поколения на 45% меньшим сопротивлением открытого канала и малым зарядом затвора, увеличивая плотность мощности современных DC/DC преобразователей.

Сопротивление открытого кнала RDS(ON) транзистора SiR872ADP составляет 18 мОм при напряжении VGS = 10 В и 23 мОм при напряжении VGS = 7.5 В, а заряд затвора всего 22.8 нКл (тип.). Столь высокие характеристики RDS(ON) и FOM (показатель добротности) обеспечивают снижение потерь на проводимость и переключения и как следствие увеличивают КПД системы. Обеспечивая лучшую производительность, чем большинство транзисторов предыдущего поколения, SiR872ADP потенциально позволяет снизить число необходимых компонентов и сложность конечного решения.

SiR872ADP, с рабочим напряжением до 150 В, дополнил собой линейку ранее анонсированных MOSFET-транзисторов на 100 В (SiR846ADP и SiR870ADP) и 80 В (SiR826ADP) семейства ThunderFET, предлагающую разработчикам широкий выбор устройств средней мощности в корпусах PowerPAK SO-8. На сегодняшний день, компания Vishay способна предложить решение для любой системы преобразования мощности на базе своих MOSFET транзисторов семейств ThunderFET, TrenchFET Gen IV и высоковольтных MOSFET транзисторов серии E/D.

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SiR872ADP (англ.)

Документация на SiR846ADP (англ.)

Документация на SiR870ADP (англ.)

Документация на SiR826ADP (англ.)