Новые MOSFET-транзисторы серии EF обеспечивают высокую надежность и экономию энергии в схемах с мягким режимом переключения.

Новые транзисторы, выполненные по технологии суперперехода второго поколения, являются дополнением к существующей стандартной серии устройств E и предназначены для использования в схемах с «мягким» режимом переключения и с переключением при нулевом напряжения: мостовых схемах со сдвигом фазы и резонансных полумостовых LLC-преобразователях.

SiHx21N60EF, SiHx47N60EF и SiHx70N60EF обладают в 10 раз меньшим зарядом затвора по сравнению со стандартными MOSFET-транзисторами. Это позволяет устройствам намного быстрее блокировать пробивное напряжение и предотвращать повреждение компонента в связи с необратимым пробоем или перегревом. Сверхнизкие сопротивление открытого канала и величина заряда затвора приводят к существенному снижению потерь на проводимость и переключение, что в свою очередь способствует экономии энергии в мощных высокопроизводительных импульсных приложениях.

Схемотехника:

  • Транзисторы разработаны для схем с мягким переключением и переключением в нуле напряжения:
    • Полу-мостовые резонансные LLC-каскады
    • Мостовые каскады со сдвигом фазы
  • Могут использоваться в схемах с жестким переключением, при которых внутренний шунтирующий диод работает только в первом квадранте (никогда не переходит в открытое состояние):
    • Корректоры коэффициента мощности (PFC)
    • Двухтактный прямоходовой преобразователь
    • Обратноходовой преобразователь
    • Прямоходовой преобразователь
Наименование VDS
(В)
ID
(А)
RDS(ON)
(мОм)
макс.
@ 10 В
QG
(нКл)
Корпус
SiHP21N60EF 600 21 176 56 TO-220
SiHB21N60EF 600 21 176 56 TO-263
SiHA21N60EF 600 21 176 56 TO-220F
SiHG21N60EF 600 21 176 56 TO-247AC
SiHG47N60EF 600 47 65 152 TO-247AC
SiHW47N60EF 600 47 65 152 TO-247AD
SiHG70N60EF 600 70 38 253 TO-247AC
SiHW70N60EF 600 70 38 253 TO-247AD

 

Отличительные особенности:

  • Низкий заряд обратного восстановления (Qrr) увеличивает надежность схем с переключением в нуле напряжения
  • Очень низкие сопротивление открытого канала и заряд затвора снижают потери на проводимость и переключение
  • Выпускаются в корпусах: TO-220, TO-220F, TO-263, TO-247AD и TO-247AC
  • Выдерживают высокоэнергетические импульсы в условиях лавинного пробоя и в режиме коммутации — полностью протестированы по методике UIS
  • Соответствуют требованиям директивы RoHS и не содержат галоидных соединений

Область применения:

  • Силовые каскады с импульсным режимом работы
    • Солнечные инверторы
    • Модули питания серверов и телекоммуникационного оборудования
    • Импульсные блоки питания формата ATX для ПК и игровых приставок
    • Сварочное оборудование
    • Источники бесперебойного питания (UPS)
    • Зарядные устройства

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Руководство по применению: Мостовой конвертер с переключением в нуле напряжения: принцип действия, характеристики и руководство по выбору силовых MOSFET-транзисторов (англ.)