Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
18 Ноя
Новые MOSFET-транзисторы серии EF обеспечивают высокую надежность и экономию энергии в схемах с мягким режимом переключения.
Новые транзисторы, выполненные по технологии суперперехода второго поколения, являются дополнением к существующей стандартной серии устройств E и предназначены для использования в схемах с «мягким» режимом переключения и с переключением при нулевом напряжения: мостовых схемах со сдвигом фазы и резонансных полумостовых LLC-преобразователях.
SiHx21N60EF, SiHx47N60EF и SiHx70N60EF обладают в 10 раз меньшим зарядом затвора по сравнению со стандартными MOSFET-транзисторами. Это позволяет устройствам намного быстрее блокировать пробивное напряжение и предотвращать повреждение компонента в связи с необратимым пробоем или перегревом. Сверхнизкие сопротивление открытого канала и величина заряда затвора приводят к существенному снижению потерь на проводимость и переключение, что в свою очередь способствует экономии энергии в мощных высокопроизводительных импульсных приложениях.
Схемотехника:
Наименование | VDS (В) |
ID (А) |
RDS(ON) (мОм) макс. @ 10 В |
QG (нКл) |
Корпус |
---|---|---|---|---|---|
SiHP21N60EF | 600 | 21 | 176 | 56 | TO-220 |
SiHB21N60EF | 600 | 21 | 176 | 56 | TO-263 |
SiHA21N60EF | 600 | 21 | 176 | 56 | TO-220F |
SiHG21N60EF | 600 | 21 | 176 | 56 | TO-247AC |
SiHG47N60EF | 600 | 47 | 65 | 152 | TO-247AC |
SiHW47N60EF | 600 | 47 | 65 | 152 | TO-247AD |
SiHG70N60EF | 600 | 70 | 38 | 253 | TO-247AC |
SiHW70N60EF | 600 | 70 | 38 | 253 | TO-247AD |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Подпишись на новости! |