Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
26 Дек
Очень низкое сопротивление открытого канала RDS(ON) благодаря технологии Power Clip.
Новый N-канальный MOSFET-транзистор выполнен по улучшенному техпроцессу Power Trench® компании Fairchild Semiconductor, включающему технологию экранирования затвора. Данный техпроцесс обеспечивает оптимальное значение сопротивления открытого канала и высокую эффективность переключения. Также за счёт особой технологии исполнения корпуса Power Clip удалось достичь низкого сопротивления открытого канала при размещении транзистора в корпусе типа PQFN размерами 3.3 x 3.3 мм.
N-канальный MOSFET-транзистор FDMC86340 |
Отличительные особенности:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на FDMC86340 (англ.)
Подпишись на новости! |