Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
30 Дек
Компания-дистрибьютор электронных компонентов EBV Elektronik приглашает сотрудника на должность инженера по применению – Field Application Engineer. Направление – силовая электроника (Power Bipolar, Rectifiers, Thyristors, IGBT, Power MOSFET).
Основные задачи:
Требования:
26 Дек
Семейство операционных CMOS-усилителей OPA317 обеспечивает высокую точность работы по самой конкурентной цене.
Устройства являются представителями серии усилителей Zerø-Drift, использующим фирменную технологию автокалибровки. Эта технология обеспечивает низкое напряжение смещения (90 мкВ макс.) и нестабильность тока покоя во времени и под влиянием температуры не более 35 мкА. Усилители семейства OPA317 способны работать с входными и выходными сигналами, равными напряжению питания, и имеют почти плоскую характеристику распределения шума. Работа усилителей гарантируется при напряжении питания не менее +1.8 В (±0.9 В) и не более +5.5 В (±2.75 В).
Устройство способно работать с широким диапазоном входного сигнала, исключая необходимость дополнительного его масштабирования, и требует наличия внешнего опорного источника напряжения от 2.5 В до 5 В. Величина опорного напряжения может устанавливаться независимо от напряжения питания аналоговой части прибора (AVDD), в том числе и превышать её.
Преобразователь снабжён SPI-совместимым интерфейсом, позволяющим объединять несколько АЦП в общую сеть. Наличие бита занятости обеспечивает лёгкую синхронизацию с цифровым хост-устройством. На вход ADS8881 можно подавать однополярный дифференциальный аналоговый сигнал с размахом от –VREF до +VREF. Кроме того, структура входного каскада АЦП позволяет обрабатывать синфазные сигналы амплитудой от 0 В до +VREF (при этом на оба входа можно подавать напряжение в пределах от –0.1 В до VREF + 0.1 В).
26 Дек
Силовой N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-247 с напряжением сток-исток 650 В, током стока 69 А и сопротивлением открытого канала 24 мОм, сертифицированный для применения в автомобильных приложениях, выполнен на основе инновационного фирменного вертикального техпроцесса MDmesh™ V и имеет горизонтальную структуру слоёв PowerMESH™.
Результатом использования этих двух технологий стало очень низкое значение сопротивления открытого канала, недоступное для мощных полевых транзисторов на основе кремния. Благодаря снижению активных потерь в канале, данный транзистор отлично подойдёт для систем с высокой плотностью мощности и КПД.
26 Дек
Высокопроизводительные микроконтроллеры STM32F030x на основе 32-битного ядра ARM Cortex™-M0 RISC-архитектуры.
Микроконтроллеры серии STM32F030x компании STMicro интегрируют 32-битный ARM-процессор Cortex™-M0 с рабочей частотой до 48 МГц, высокоскоростную память (до 64 Кбайт FLASH и до 8 Кбайт SRAM), функциональный блок периферийных модулей и линий ввода/вывода. Все устройства серии поддерживают стандартный набор коммуникационных интерфейсов (до двух каналов I2C
, до двух каналов SPI и до двух UART), один 12-битный АЦП, до шести 16-битных таймеров общего назначения и ШИМ-таймер с расширенными возможностями управления. Микроконтроллеры рассчитаны на работу в диапазоне температур окружающей среды от -40°C до +85°C при напряжении питания от 2.4 В до 3.6 В. Несколько энергосберегающих режимов позволяют создавать приложения с малым энергопотреблением.
26 Дек
SOLERIQ S 13 — новейшие светодиоды передового семейства SOLERIQ компании OSRAM Opto Semiconductors, отличающиеся чрезвычайной легкостью применения.
Инновационные светодиоды, выполненные по технологии монтажа кристалла на плату (Chip-on-Board), обеспечивают высокую светоотдачу и специально разработаны для точечных источников света. Являясь монолитным компонентом с чрезвычайно мощным световым потоком, и не требующим пайки, светодиоды SOLERIQ S 13 значительно упрощают процесс системной интеграции производителям осветительных приборов. Размер излучающей поверхности (LES), составляющий в диаметре 13.5 мм, соответствует спецификации стандартов Zhaga в части взаимозаменяемости светодиодных источников света, что также увеличивает удобство применения светодиодов SOLERIQ S 13.
26 Дек
Специально разработан для применения в оборудовании с питанием от сети Ethernet (Power-over-Ethernet — PoE)
Новые технологии и успешный опыт прошлых достижений позволяют сегодня создавать следующее поколение систем питания по линии Ethernet (PoE), способных обеспечить каждое питаемое устройство (Powered Device — PD) в сети мощностью до 100 Вт.
Большие ЖКИ дисплеи, точки беспроводного доступа сетей 3G/4G и Wi-Fi, управляемые камеры (Pan-Tilt-Zoom — PTZ) систем видеонаблюдения, питаемые от сети Ethernet, предъявляют более жесткие требования к питающему оборудованию (Power Sourcing Equipment — PSE) в части процедуры «плавного пуска», стойкости к коротким замыканиям, тепловым режимам и доступной плотности мощности. Новый представитель MOSFET-транзисторов линейки “NextPower Live” — PSMN075-100MSE оптимизирован для работы с новейшими PoE-контроллерами, демонстрируя одновременно высокую линейность рабочих режимов и чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(ON)), и доступен в недорогом, промышленно-стандартном корпусе LFPAK33.
26 Дек
Обеспечивает высокую эффективность и минимальный уровень шумов.
KMZ60 — это магниторезистивный (MR) датчик с интегрированным усилителем для систем измерения угла поворота и управления бесколлекторными двигателями постоянного тока (BLDC) с четным числом обмоток. Устройство объединяет две интегральных схемы в одном корпусе — датчик угла поворота и инструментальный усилитель. KMZ60 обеспечивает два выходных сигнала — синуса и косинуса угла поворота вращающегося магнитного поля. Диапазон напряжения выходного сигнала пропорционален напряжению питания. KMZ60 может работать как в режиме компенсации температурного коэффициента так и в режиме без компенсации. Помимо двух сигналов указания угла поворота магнитного поля, KMZ60 обеспечивает выходной сигнал, линейно зависящий от внутренней температуры перехода интегральной схемы. В случае необходимости KMZ60 может быть переведен с режим пониженного энергопотребления (Power-Down).
26 Дек
Технология изготовления IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™5 от компании Infineon меняет представление о понятии «лучший в своём классе устройств» и обеспечивает непревзойдённую эффективность в приложениях с жесткими условиями переключения.
Новое семейство IGBT-транзисторов является большим инновационным шагом навстречу будущим требованиям рынка к максимальной эффективности. Транзисторы оптимизированы для применения в схемах коррекции коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях в таких приложениях, как инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания, инверторы сварочных аппаратов и другие системы с жесткими условиями переключения.
26 Дек
Быстрые диоды идеально сочетаются с транзисторами семейств CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5
Компания Infineon впервые выходит на рынок высоковольтных сверхбыстрых диодов, предлагая приборы семейств Rapid 1 и Rapid 2 с обратным напряжением 650 В. Новое семейство Rapid является дополнением к ранее выпущенным компанией мощным диодам на напряжение 600/650 В, заполняя пробел между кремний-углеродными диодами и диодами, контролируемыми по эмиттеру.
Сочетая низкую стоимость и высокую эффективность, новые диоды предназначены для работы в устройствах с рабочими частотами от 18 до 100 кГц. Особенно хорошо они согласуются с транзисторами структур CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5 в схемах корректоров коэффициента мощности (PFC). Семейство диодов Rapid будет представлено в двух версиях (Rapid1 и Rapid2) моделями с максимальным обратным напряжением 650 В, тогда как существующие устройства поддерживают обратное напряжение не более 600 В.
Подпишись на новости! |