Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
4 Фев
Высокочастотные транзисторы компании Infineon обеспечивают наилучшие рабочие характеристики, высокую гибкость применения, превосходное соотношение цена/производительность и позволяют разработчикам сократить время разработки конечного решения.
BFx843 — это малошумящие широкополосные NPN биполярные высокочастотные транзисторы. Устройства интегрируют цепь обратной связи, обеспечивающую предварительное согласование входа и выхода с 50-омной нагрузкой и высокую стабильность в условиях паразитных частотных модуляций, что позволяет существенно упростить разработку произвольных схем малошумящих усилителей (LNA). Выполненные по зарекомендовавшей себя технологии SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов, BFx843 поддерживают напряжение коллектор-эмиттер VCEO до 2.25 В и ток коллектора IC 55 мА. Транзисторы идеально подходят для применения в мобильных приложениях, где ключевым требованием является минимальный уровень энергопотребления. BFx843 оснащены схемой защиты от электростатических разрядов напряжением до 1500 В и чрезмерной мощности радиочастотного входного сигнала. Устройства доступны в промышленно стандартных корпусах SOT-343 и SOT-89, а также миниатюрном безвыводном TSLP-3-9, размером 1.0 мм х 0.6 мм 0.31 мм.
4 Июл
Кремний-германиевый сверхвысокочастотный NPN-транзистор для быстродействующих малошумящих схем в пластиковом корпусе SOT343F. Прибор имеет два вывода эмиттера.
Новейшая модель транзистора BFU768F является представителем семейства, в которое входят приборы, выполненные на основе кремний-германиевого с добавлением углерода (SiGe:C) технологического процесса, а также сочетающие в себе биполярную и КМОП-технологию для СВЧ-радиодиапазона (QUBiC4 Si). Данная модель обладает очень низким собственным шумом при высоком коэффициенте усиления и работе в слаботочном режиме. Это позволяет строить радиоприёмные устройства с малым напряжением питания и надёжной работой в условиях сильных помех.
17 Янв
Установлен новый рекорд по уровню сопротивления открытого канала и поддержанию на абсолютном минимуме задержек коммутации.
Новое поколение BISS-транзисторов с малым VCE(SAT) выпускаются с двумя вариантами оптимизации рабочих характеристик.
Подпишись на новости! |