Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Новая NAND FLASH память выполнена по 24 нм техпроцессу и предназначена для встраиваемых приложений, совместимых с интерфейсом SPI.

Устройство может применяться в таких потребительских продуктах, как плоскопанельные телевизоры, принтеры, носимые устройства, а также в промышленных приложениях, например, в робототехнике. Память выпускается с объемом 1 Гбит, 2 Гбит и 4 Гбит и доступна в корпусах SOP размером 10.3 мм x 7.5 мм и WSON размером 6.0 мм x 8.0 мм. Напряжение питания микросхем составляет 1.8 В и 3.3 В.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Новое семейство микросхем NOR FLASH памяти от компании Cypress обладает увеличенной скоростью чтения-записи данных по сравнению с аналогичными устройствами с 4-канальным SPI-интерфейсом и содержит на треть меньше выводов по сравнению с NOR FLASH с параллельным интерфейсом.

Высокая плотность данных – от 128 Мбит до 512 Мбит – позволяет использовать память HyperFlash для высокопроизводительных встраиваемых систем, которые находят применение в автомобильных системах помощи водителю (ADAS), приборных панелях и информационно-развлекательных комплексах автомобилей, сетевых маршрутизаторах и коммутаторах, а также в ТВ-приставках высокой четкости. Память обладает высочайшей скоростью считывания данных – до 333 МБ/с, что в 5 раз быстрее, чем у аналогичных микросхем с интерфейсом SPI.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Cypress

Новое семейство устройств NAND FLASH памяти от компании Cypress обеспечивает повышенную безопасность энергозависимых и энергонезависимых блоков данных, которая может быть использована для хранения чувствительных загрузочных данных, а также метаданных.

Функция защиты энергозависимых блоков данных позволяет закрыть от несанкционированного доступа одну или несколько специальных областей данных на период времени до следующего цикла выключения-включения. Она обеспечивает высокую гибкость применения без ограничения количества защищаемых блоков данных. Линейка продуктов NAND FLASH памяти содержит устройства с объёмом памяти от 1 Гбит до 4 Гбит, выпускаемых в стандартных корпусах BGA с 63 выводами. Областью применения микросхем являются телевизионные приставки, торговые терминалы и портативные устройства.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Cypress

e•MMC™ является семейством усовершенствованной и экономичной NAND-памяти со встроенным контроллером и улучшенной системой управления.

Семейство микросхем памяти e•MMC™ от компании Toshiba имеет стандартизированный JEDEC интерфейс и представляет собой оптимальное решение для экономичного хранения данных больших объёмов. Устройство полностью соответствует стандарту на высокоскоростной интерфейс памяти, разработанным Ассоциацией мультимедийных карт (MMCA).


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Семейство микросхем управляемой NAND FLASH-памяти Spansion 1B1 стандарта e.MMC совместимо со спецификацией JEDEC e.MMC 4.51, а также с предыдущими версиями e.MMC.

Память поддерживает режим скорости передачи данных HS200 и имеет плотность хранения данных от 8 Гбайт до 16 Гбайт. Напряжение питания ядра (VCC) составляет 3.3 В, а линий ввода/выода (VCC) 1.8 В или 3.3 В. Устройства выпускаются в промышленно стандартных 153-выводных VFBGA (размером 11.5 x 13 мм, с шагом выводов 0.5 мм) и 100-выводных LBGA (размером 14 x 18 мм, с шагом выводов 1.0 мм) корпусах.

Управляемая NAND FLASH-память стандарта e.MMC компании Spansion ориентирована на применение во встраиваемых приложениях, требовательных к высокому качеству хранения и высокой плотности данных.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Spansion

Новые устройства предназначен для применения в автомобильной электронике, промышленном, медицинском и коммуникационном оборудовании, сетевых инфраструктурах, интеллектуальных приборах учета, FPGA-приложениях, цифровых фотокамерах, принтерах, беспроводных устройствах Bluetooth и Интернет вещей.

Integrated Silicon Solution Inc., ведущий производитель передовых запоминающих устройств и аналоговых компонентов, представляет новое семейство FLASH-памяти IS25LP с удвоенной скоростью передачи данных. Семейство IS25LP создано на основе успешной серии микросхем IS25LQ компании ISSI и включает такие передовые функции, как интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных (DTR), автоопределение параметров FLASH-памяти с последовательным доступом (SFDP) и двухцикловые инструкции ввода (режим QPI).


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: ISSI

Успехи компании Toshiba в технологии Flash-памяти позволили ей создать NAND-память с одноуровневой структурой ячеек (SLC), которая имеет большое количество циклов перезаписи и долгий срок хранения данных. Этот тип памяти особенно подходит для работы с важной или часто используемой информацией.

Для систем и приборов, имеющих продолжительный режим работы и экстремально высокую пропускную способность данных между хостом и запоминающим устройством, память типа SLC NAND FLASH от компании Toshiba является наиболее подходящим решением. Новая фирменная технология BENAND™ позволяет исключить блок обработки ошибок из хост-процессора и перенести его непосредственно в память, сохранив при этом спецификацию интерфейса обмена данными, высокую надёжность и производительность, соответствующую SLC-памяти без дополнительных блоков обработки. Помимо этого данная технология позволяет применять SLC NAND-память на основе техпроцесса 24 нм для тех платформ, которые не поддерживают более высокую разрядность кода коррекции ошибок.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Последовательная память с множественным доступом

Семейство продуктов Forté N25Q является новейшим предложением из расширенного набора SPI-Flash памяти, производимой компанией Numonyx. В данной линейке представлен широкий спектр эксплуатационных характеристик и информационной плотности.

Компания Numonyx добавила еще два устройства, емкостью 128 Мбит в 3- и 1.8-вольтовой версиях, произведенные с использованием передовой промышленной 65 нм-технологии. В последовательной Flash-памяти семейства N25Q поддерживается SPI-протокол с одно-, двух- и четырехбитным ввод/выводом данных в одном и том же устройстве. Скорости чтения и записи существенно увеличены во всем диапазоне питающих напряжений, также увеличена тактовая частота до значений от 75 до 108 МГц, а также в 4 раза, или до 432 МГц, повышена скорость в четырехбитном режиме ввода/вывода. В обоих исполнениях, с питанием от 3 и 1.8 В, семейство Forté N25Q хорошо подходит для диапазона применений, включающего устройства с батарейным питанием, такие как портативные приборы или устройства бытовой электроники.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Numonyx

Микросхемы FLASH памяти семейства Axcell M29W отличаются сверхмалым временем выборки и программирования. M29W256, с организацией 16 Мбит x 16 или 32 Мбит x 8, является первым представителем семейства FLASH памяти M29W объемом от 4 до 256 Мбит.

Благодаря использованию одновременно асимметричной и симметричной архитектур блоков, ИС FLASH памяти M29W/DW предлагают более высокую гибкость хранения кода программы. Массив памяти с асимметричной архитектурой блоков содержит загрузочный блок (для соответствия различным микропроцессорам его можно разместить в начале или в конце адресного пространства), блок параметров и главный блок. В симметричной архитектуре все блоки имеют одинаковый размер.

Для сохранения действительных данных во время стирания устаревшей информации предусмотрено независимое стирание блоков. Каждый блок характеризуется износостойкостью до 100 тыс. циклов программирования/стирания и 20-летним хранением данных.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Numonyx

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы