Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Модули представляют собой полностью интегрированный инверторный силовой каскад, включающий высоковольтный драйвер, шесть IGBT-транзисторов и термистор, позволяющий управлять синхронными двигателями на постоянных магнитах (PMSM), бесколлекторными двигателями постоянного тока (BLDC) и асинхронными двигателями переменного тока.

IGBT-транзисторы сконфигурированы в виде 3-фазного моста с независимым подключением каждого эмиттера, обеспечивающим максимальную гибкость выбора управляющего алгоритма. Силовой каскад обеспечен полным набором функций защиты, включающим схему защиты от перекрестной проводимости, внешний сигнал выключения и схему блокировки при недопустимом снижении входного напряжения. Встроенный компаратор и источник опорного напряжения подключены к внутренней схеме защиты от перегрузки по току, позволяя разработчику установить требуемый уровень ограничения выходного тока.


Читать далее »

Преимуществом данного транзистора являются низкие потери проводимости и переключения, гарантирующие высокий КПД целевых приложений. FGY120T65S характеризуется высокой устойчивостью к переходным процессам и низким уровнем электромагнитных помех. При параллельном включении нескольких устройств обеспечивается равномерное распределение тока между всеми транзисторами.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Fairchild

Компания Fairchild представила быстродействующие IGBT-транзисторы на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения с низкими потерями на переключение. Новые приборы обладают плавной характеристикой переключения, что приводит к минимальным выбросам напряжения и низкому «звону» и, как следствие, низкому уровню электромагнитного излучения и высокой надежности транзистора.

Новый IGBT-транзистор FGH75T65SQD на основе технологии Field Stop Trench поддерживает напряжение коллектор-эмиттер 650 В и ток коллектора до 75 А. Прибор оптимизирован для применения в солнечных инверторах, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, телекоммуникационном оборудовании, коммутирующих схемах и корректорах коэффициента мощности, для которых основным критерием являются низкие потери проводимости и потери на переключение.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Fairchild

Компания ON Semiconductor продолжает совершенствовать техпроцесс изготовления полупроводниковых кристаллов из тонких пластин и технологию имплантации, позволяющие значительно улучшить характеристики IGBT-транзисторов, которые удовлетворяют растущим требованиям энергоэффективности.

Новейшее семейство IGBT-транзисторов Field Stop III предназначено для применения в приложениях с высоким КПД и диапазоном рабочих частот от единиц килогерц до 50 кГц. Транзисторы семейства Field Stop III (FSIII) отличаются повышенной проводимостью и высокими характеристиками коммутации, наряду с превосходными параметрами встречно-параллельного шунтирующего диода, что в совокупности приводит к снижению на 30% потерь на переключение по сравнению с транзисторами предыдущего поколения Field Stop.


Читать далее »

Новые IGBT-транзисторы семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 предназначены для применения в схемах с частотой коммутации от 10 кГц до 40 кГц и обеспечивают более высокое КПД, меньшее время вывода на рынок конечного продукта, упрощают топологию печатной платы и снижают стоимость комплектующих.

Транзисторы снабжены функциями, позволяющими разработчикам достигать поставленных целей без увеличения сложности схемы:


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Второе поколение интеллектуальных силовых модулей с малыми потерями семейства SLLIMM™ (Small Low-Loss Intelligent Molded Module) предлагает компактное, высокопроизводительное решение для управления электродвигателями переменного тока, отличающееся простотой и высокой надежностью реализации.

STGIB10CH60TS-L интегрирует схему управления, включающую драйверы затворов транзисторов верхнего и нижнего плеча, и стойкие к токам короткого замыкания IGBT-транзисторы, выполненные по технологии Trench Field Stop (TFS). Модуль отлично подходит для построения систем управления трехфазными двигателями средней мощности, применяемыми в бытовой технике и системах вентиляции и кондиционирования воздуха.


Читать далее »

Компания ON Semiconductor анонсирует интегральный силовой модуль (PIM) NXH80T120L2Q0PG, выполненный на основе IGBT-транзисторов с технологией Trench Field Stop II и надежных сверхбыстрых диодов с малым временем восстановления.

Устройства выпускаются в полу-мостовой конфигурации с рабочим напряжением 1200 В и током нагрузки 80 А, а также в конфигурации инвертора T-типа с фиксированной нейтральной точкой, рабочим напряжением 600 В и током нагрузки 50 А. При этом максимально достижимое значение КПД превышает 98%. NXH80T120L2Q0PG выпускаются с применением высоковольтной технологии прямого соединения кристалла с медной подложкой (DBC) и запрессованными выводами, что обеспечивает высокую производительность и надежность решения.


Читать далее »

Новые IGBT-транзисторы имеют высокую надёжность и низкую стоимость благодаря использованию технологии Field Stop для формирования проводящего канала. Они обеспечивают высокую производительность, низкое сопротивление открытого канала с минимальными потерями на переключение в требовательных схемах коммутации.

IGBT-транзисторы отлично подходят для схем резонансных и полумостовых резонансных преобразователей напряжения, а также для схем с мягким режимом переключения. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с плавным переключением и низким прямым напряжением. Применение устройств, выполненных по технологии FSII (Field stop 2), уменьшает потери на 30% и ведет к повышению КПД системы, а также к снижению на 20% температуры корпуса транзистора, что позволяет разработчикам увеличивать общую системную производительность и надежность. Транзисторы оптимизированы для использования в высокопроизводительных преобразователях энергии, бытовой технике и промышленном оборудовании.


Читать далее »

Новые IGBT-транзисторы выполнены по надежной и недорогой архитектуре Field Stop II Trench, обеспечивающей высокую производительность в требовательных схемах коммутации за счёт низкого остаточного сопротивления и минимальных потерь на переключение.

Ниже перечислены параметры IGBT-транзисторов, одинаково хорошо подходящих для бесперебойных источников питания, солнечных инверторов и схем управления электродвигателями. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с малым падением прямого напряжения. Приборы серии L2 специально разработаны для схем управления двигателями, но также отлично подойдут для применения в сварочных аппаратах.


Читать далее »

Новые IGBT-транзисторы выполнены по надёжной и недорогой Trench-технологии, отличаются низким остаточным напряжением в открытом состоянии и минимальными потерями на переключение, обеспечивая высокую производительность для требовательных импульсных приложений.

IGBT транзисторы выполняют функцию силовых ключей в схемах средней и большой мощности. Благодаря высокой скорости переключения, низкому остаточному напряжению в открытом состоянии, широкой зоне безопасной работы (SOA), лёгкости управления затвором и относительно малому температурному дрейфу параметров они имеют значительные преимущества перед MOSFET- и BJT-транзисторами.


Читать далее »

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы