Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Новые MOSFET-транзисторы TK3R1P04PL (40 В), TK4R4P06PL (60 В) и TK6R7P06PL (60 В) выпускаются в компактном корпусе DPAK и идеально подходят для высокоэффективных схем преобразования мощности, таких как AC/DC и DC/DC преобразователи, импульсные источники питания и системы управления электроприводами.

Неизменной популярностью в промышленных приложениях пользуются корпуса DPAK, монтируемые на поверхность печатной платы. Компания Toshiba производит новые транзисторы именно в таких корпусах с изготовлением кристалла по новейшему высокочастотному низковольтному техпроцессу UMOS IX-H. Элемент этого процесса UMOS9 обладает превосходным компромиссным соотношением сопротивления открытого канала и выходного заряда: RDS(ON) * QOSS.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Компания Infineon расширяет линейку 600-вольтовых MOSFET-транзисторов семейства CoolMOS™ P7, предлагая максимально широкий выбор, тщательно подобранных по уровню сопротивления открытого канала RDS(ON), силовых ключей, выполненных по технологии супер-перехода (SJ).

Полевые транзисторы CoolMOS™ P7 компании Infineon предлагают наиболее сбалансированное решение, оптимально сочетая легкость применения и наивысшую в отрасли энергоэффективность.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Технология для устройств с аккумуляторным питанием

Новые MOSFET-транзисторы семейства StrongIRFET™ с напряжением сток-исток 40 В в 7-выводном корпусе D2PAK отличаются чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала и наибольшим в отрасли током стока.

IRL40SC209, IRL40SC228 расширяют номенклатуру уже доступных корпусов, предлагая разработчикам большую гибкость при выборе наиболее подходящего устройства для своего приложения. По сравнению со стандартным 7-выводным корпусом D2PAK, новый корпус D2PAK 7pin+ позволяет на 20% увеличить размер кристалла транзистора, что приводит к снижению сопротивления открытого канала RDS(ON) на 15%, а теплового сопротивления между печатной платой и переходом на 39%.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Обладая наилучшим в отрасли показателем качества (произведение заряда затвора на остаточное сопротивление) — ключевым параметром для силовых MOSFET-транзисторов с напряжением сток-исток 600 В, N-канальный транзистор SiHP065N60E обеспечивает высокий КПД источников питания, применяемых в промышленном и телекоммуникационном оборудовании, системах освещения и вычислительной технике.

Новый транзистор выполнен по передовой, высокоэффективной технологии суперперехода. Компания Vishay следует своему принципу предлагать клиентам широкий ассортимент MOSFET-технологий и поставляет решения для всех стадий процесса преобразования энергии — от высоковольтного входа до низковольтного выхода, необходимых современным электронным системам.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Силовые MOSFET-транзисторы с оптимальным балансом легкости применения и высочайшей энергоэффективности.

Являясь дальнейшим развитием линейки 600-вольтовых транзисторов серии CoolMOS™ P6, новое поколение устройств серии CoolMOS™ P7 ориентировано на широкий спектр приложений — от маломощных импульсных источников питания до силовых каскадов наивысшей мощности, работающих в режиме жесткой или плавной коммутации. Серия транзисторов с рабочим напряжением 600 В CoolMOS™ P7 считается наиболее сбалансированной среди всех представителей семейства CoolMOS™ компании Infineon по таким показателям, как легкость применения (например, благодаря минимальному уровню «звона»), превосходный КПД переключения и конкурентоспособная цена.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Корпус LFPAK33 обладает улучшенными тепловыми параметрами и характеризуется полным отсутствием потерь, что гарантирует высокую надежность и КПД автомобильных подсистем следующего поколения.

Компания Nexperia, бывшее подразделение стандартных продуктов NXP, представила силовые MOSFET-транзисторы автомобильного назначения в новом корпусе LFPAK33, который имеет улучшенные тепловые параметры, характеризуется полным отсутствием потерь и обладает на 80% меньшими размерами по сравнению с существующими компонентами промышленного исполнения. Корпус LFPAK33 также обеспечивает значительное снижение теплового сопротивления, что отвечает современным требованиям автомобильной индустрии к снижению размеров модулей при их высокой энергоэффективности и надежности. Транзисторы в корпусе LFPAK33 могут служить основой для построения надежной и эффективной инфраструктуры питания автомобильных подсистем следующего поколения, таких как радары и передовые системы помощи водителю (ADAS).


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Nexperia

Прибор повышает эффективность и производительность схем коммутации за счет повышенной плотности мощности и выходного тока при минимальном количестве вносимых изменении. SiR626DP идеально подходит для приложений высокой выходной мощности: синхронных выпрямителей, систем с напряжением питания 24 В, схем управления двигателями, преобразователей постоянного напряжения и солнечных микроинверторов.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Новые ключи снабжены рядом интеллектуальных возможностей, включающих различные защитные и диагностические функции. Устройства семейства PROFET™ способны управлять нагрузками различных типов – резистивными, индуктивными и емкостными и поэтому отлично подходят для применения в самом широком спектре промышленных приложений.

ITS4200S-SJ-D — это защищенные, одноканальные, интеллектуальные ключи на основе силового NMOS-транзистора с сопротивлением открытого канала 200 мОм, выполненные в 8-выводном корпусе PG-DSO-8 и снабженные схемой накачки заряда, CMOS-совместимым входом и цепью обратной связи для задач диагностики.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Компания Infineon объявила о выпуске новых силовых MOSFET-транзисторов семейства CoolMOS™ P7 с напряжением сток-исток 800 В. Благодаря низкому значению сопротивления открытого канала, транзисторы обеспечивают минимальные потери проводимости и высокий КПД.

Полевые транзисторы новейшего семейства CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением до 800 В объединяют в себе превосходную производительность и простоту использования, что является результатом 18-летних инновационных разработок технологии суперперехода компании Infineon. Устройства отличаются увеличенным на 0.1%…0.6% коэффициентом полезного действия и уменьшенной на 2°C…8°C рабочей температурой перехода, по сравнению с семейством CoolMOS™ C3, что подтверждено тестами в базовых обратноходовых топологиях. Такие высокие характеристики транзисторов получены за счет сочетания различных параметров: уменьшенными в два раза энергией сток-исток EOSS и величиной заряда затвора QG, а также сниженной входной CISS и выходной COSS емкости.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Компания Fairchild представила новую транзисторную сборку — FDMQ8205, позволяющую максимально эффективно использовать доступную мощность и напряжение, а также исключить проблему отвода тепла в питаемых устройствах (Powered Device — PD) в системах питания посредством сети Ethernet (Power-over-Ethernet — PoE).

FDMQ8205 — это второе поколение транзисторных сборок GreenBridgeTM, включающих четыре силовых MOSFET-транзистора и предназначенных для построения мостовых схем, вход которых не чувствителен к полярности подключенного к устройству источника питания. Большинство схем мостовых выпрямителей выполнены с применением стандартных диодов и характеризуются относительно большими потерями мощности, что может быть неприемлемо в ряде приложений.


Читать далее »

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы