Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Компания Infineon объявила о выпуске новых силовых MOSFET-транзисторов семейства CoolMOS™ P7 с напряжением сток-исток 800 В. Благодаря низкому значению сопротивления открытого канала, транзисторы обеспечивают минимальные потери проводимости и высокий КПД.

Полевые транзисторы новейшего семейства CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением до 800 В объединяют в себе превосходную производительность и простоту использования, что является результатом 18-летних инновационных разработок технологии суперперехода компании Infineon. Устройства отличаются увеличенным на 0.1%…0.6% коэффициентом полезного действия и уменьшенной на 2°C…8°C рабочей температурой перехода, по сравнению с семейством CoolMOS™ C3, что подтверждено тестами в базовых обратноходовых топологиях. Такие высокие характеристики транзисторов получены за счет сочетания различных параметров: уменьшенными в два раза энергией сток-исток EOSS и величиной заряда затвора QG, а также сниженной входной CISS и выходной COSS емкости.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Компания Fairchild представила новую транзисторную сборку — FDMQ8205, позволяющую максимально эффективно использовать доступную мощность и напряжение, а также исключить проблему отвода тепла в питаемых устройствах (Powered Device — PD) в системах питания посредством сети Ethernet (Power-over-Ethernet — PoE).

FDMQ8205 — это второе поколение транзисторных сборок GreenBridgeTM, включающих четыре силовых MOSFET-транзистора и предназначенных для построения мостовых схем, вход которых не чувствителен к полярности подключенного к устройству источника питания. Большинство схем мостовых выпрямителей выполнены с применением стандартных диодов и характеризуются относительно большими потерями мощности, что может быть неприемлемо в ряде приложений.


Читать далее »

Благодаря полосковой геометрии и улучшенной вертикальной структуре, STF25N60M2-EP демонстрирует низкое значение сопротивления открытого канала и оптимальные характеристики переключения с малыми потерями. Это позволяет применять транзистор в большинстве высокочастотных преобразователей напряжения.


Читать далее »

Данный транзистор произведен с использованием улучшенных инновационных свойств материалов с широкой запрещенной зоной. Он характеризуется непревзойденным значением сопротивления открытого канала и великолепными параметрами переключения, практически независимыми от температуры.

Выдающиеся тепловые свойства карбида кремния и фирменный корпус HiP247™ позволяют создавать продукты промышленного стандарта с улучшенными тепловыми параметрами. Благодаря этому SCT10N120 идеально подходит для применения в приложениях с высокими КПД и плотностью мощности.


Читать далее »

24-вольтовые защищенные силовые ключи BTT6xxx семейства PROFET™+ компании Infineon способны управлять резистивной, емкостной и индуктивной нагрузками, такими как автомобильные фары, клапаны, двигатели, реле, конденсаторы и светодиоды. Совместимая с платформой Arduino демонстрационная плата позволяет быстро и недорого реализовать прототип конечного решения и ознакомиться с функциональными возможностями полностью совместимых по назначению выводов устройств семейства PROFET™+.

Плата оснащена тремя интеллектуальными, защищенными силовыми MOSFET-ключами верхнего плеча семейства 24-вольтовых устройств PROFET™+ (PROtected MOSFET) — двумя BTT6030-2EKA и одним BTT6020-1EKA. Она может работать как с материнской платой Arduino (Arduino Uno, Arduino Due), так и с оценочными платами на основе ARM-микроконтроллеров семейства XMC™ компании Infineon, поддерживающими форм-фактор Arduino.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Новые устройства от компании Vishay интегрируют два MOSFET-транзистора в асимметричном корпусе — ключ нижнего плеча, большего размера для меньшего сопротивления открытого канала, и ключ верхнего плеча, меньшего размера для более высокой частоты коммутации.

12-вольтовая (SQJ202EP) и 20-вольтовая (SQJ200EP) транзисторные сборки предлагают более высокопроизводительную альтернативу стандартным 2-канальным силовым MOSFET-транзисторам, ограничивающим оптимальное сочетание рабочих характеристик для сильноточных, высокочастотных понижающих схем преобразования. По сравнению с решениями на основе дискретных компонентов, новые устройства занимают меньшую монтажную площадь и позволяют использовать более компактную печатную плату.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Vishay

Компания Infineon расширяет линейку устройств на основе технологии CoolMOS™ CE, представляя новые MOSFET-транзисторы в корпусе SOT-223, как альтернативное решение устройствам в корпусах DPAK.

Данный корпус обеспечивает снижение стоимости приборов и уменьшение габаритов схемы. Приборы в корпусах SOT-223 могут устанавливаться на посадочные места, предназначенные для компонентов в корпусах DPAK, с незначительным компромиссом в тепловыделении. Компоненты Infineon в корпусе SOT-223 отлично подойдут для систем светодиодного освещения и мобильных зарядных устройств.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Infineon

Компания Toshiba разработала новые 4-выводные силовые MOSFET-транзисторы серии DTMOS IV-H, выполненные в корпусе TO-247 по технологии суперперехода, с рабочим напряжением 600 В.

Такие транзисторы подходят для источников питания с коррекцией коэффициента мощности, построенных по схеме интеллектуальных силовых каскадов и резонансных преобразователей (LLC). Особенностью приборов является низкая величина заряда затвор-сток, оптимизирующая характеристику переключения транзистора. В традиционных 3-выводных корпусах TO-247 паразитная индуктивность вывода истока ведет к увеличению потерь с ростом частоты переключения. Дополнительный вывод истока, называемый истоком Кельвина, позволяет увеличить скорость нарастания тока стока и снизить потери на переключение. При этом уменьшение энергии включенного состояния транзисторя E(ON) достигает величины 15% по сравнению с 3-выводными корпусами.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STH310N10F7 на основе технологии STripFET™ F7 имеют улучшенную структуру затвора с V-образной канавкой, которая позволяет значительно снизить сопротивление открытого канала и уменьшить внутреннюю емкость и заряд затвора, что способствует повышению быстродействия прибора и его КПД.


Читать далее »

Новейший MOSFET-транзистор от компании Fairchild с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии PowerTrench®, обладает самым низким сопротивлением открытого канала RDS(ON) и зарядом обратного восстановления Qrr для устройств данного класса, что наряду с малым временем восстановления позволяет создавать системы с чрезвычайно высоким КПД.

Структура с экранированным затвором и плавная характеристика переключения встроенного шунтирующего диода обеспечивают оптимальный баланс заряда и позволяют обойтись без дополнительных демпфирующих схем. Кроме того, эта структура дает возможность использовать FDMS86181 в качестве замены транзисторов с более высоким значением напряжения сток-исток за счет минимизации выбросов напряжения в схемах синхронных выпрямителей.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Fairchild

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы