Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
20 Июн
IS61/64WV204816BLL — это быстродействующая статическая память с произвольным доступом (SRAM) объемом 32 Мбит с организацией 2048К слов шириной 16 бит. Эти новые высокопроизводительные, малопотребляющие устройства произведены по передовой CMOS технологии компании ISSI и обеспечивают время доступа к данным за 12 нс при работе в автомобильном диапазоне температур от -40°C до +125°C.
Когда управляющий вывод обращения к микросхеме CS# (Chip Select) находится в высоком состоянии (обращение запрещено) устройство переходит в режим ожидания, при котором мощность потребления снижается до минимума с поддержанием на входах КМОП-уровней напряжения. Каскадное включение нескольких запоминающих устройств существенно облегчается при помощи управляющих выводов разрешения обращения к микросхеме (CS#) и разрешения выхода (OE#). Активное низкое состояние управляющего вывода разрешения записи WE# контролирует запись и чтение данных. Блок управления вводом/выводом обеспечивает независимый доступ к старшему (UB#) и младшему (LB#) байтам, позволяя работать как с 8-битными, так и с 16-битными данными.
11 Сен
Компания Cypress представляет новейшую модель семейства устройств асинхронной SRAM памяти со встроенной схемой коррекции ошибок (ECC).
Данное быстродействующее ОЗУ поддерживает уровень производительности, позволяющий применять его в широком спектре промышленных, телекоммуникационных, медицинских, потребительских и военных приложениях. Будучи полностью совместимыми по функциям, корпусам и назначению выводов с существующей асинхронной SRAM памятью предыдущего поколения, новая быстродействующая SRAM память позволяет разработчикам усовершенствовать свою систему без изменения топологии печатной платы.
Компания Cypress, мировой лидер по производству SRAM памяти, предлагает семейство микросхем памяти QDR-IV, являющихся представителями высокопроизводительной линейки продуктов QDR®. SRAM память QDR-IV обеспечивает скорость произвольных транзакций на несколько порядков больше, чем у широко распространённых микросхем памяти и в 2.4 раза больше, чем у предыдущего поколения QDR.
Семейство микросхем памяти QDR-IV включает две серии продуктов: QDR-IV Xtreme Performance (XP) и QDR-IV High Performance (HP). QDR-IV является стандартом высокопроизводительной памяти для сетевых применений и идеально подходит для следующего поколения сетевых устройств, коммуникационного оборудования и вычислительных систем.
12 Дек
Представленные компанией Cypress Semiconductor самые быстрые и наиболее эффективные в отрасли микросхемы синхронной QDR II+ SRAM-памяти серии Xtreme отличаются высокой допустимой тактовой частотой до 633 МГц, что позволяет применять их при разработке высокоскоростных сетевых и телекоммуникационных приложений следующего поколения.
Устройства QDR II+ и DDR II+ новой серии Xtreme компании Cypress по типу корпусов, расположению выводов и функциональности полностью совместимы с существующим семейством микросхем QDR II+, обеспечивая производителям сетевых коммутаторов, маршрутизаторов и платформ агрегации возможность повышения производительности путем простого увеличения тактовых частот в рамках существующих систем без каких-либо изменений конструкции платы.
10 Мар
Недорогая высокоскоростная CMOS PSRAM с объемом памяти 4 / 8 / 16 / 32 и 64 Мбит
Псевдостатическая память PSRAM представляет собой комбинацию преимуществ динамической памяти DRAM (высокая плотность при малой цене бита) и статической памяти SRAM (низкое энергопотребление и простота использования).
PSRAM – высокоскоростная псевдостатическая CMOS-память, предназначенная для недорогих портативных приложений. Данные устройства поддерживают стандартный промышленный асинхронный интерфейс обмена данными, предлагаемый в других низкопотребляющих микросхемах статической или псевдостатической памяти. Для непрерывного режима работы с асинхронной шиной памяти, в данных PSRAM-компонентах применяется явный механизм саморегенерации. Скрытая регенерация не нуждается в дополнительном обслуживании системным контроллером памяти и не оказывает существенного влияния на производительность операций записи/чтения устройства.
2 Ноя
Высокопроизводительная память востребована сейчас во многих современных сетевых, телекоммуникационных, автомобильных, охранных и бытовых приложениях. Продукция DDR2 SDRAM от компании ISSI имеет высокую надежность и имеет гарантированную высокую доступность для удовлетворения потребительского спроса.
Для возможности применения в широком спектре клиентских приложений, компанией ISSI была дополнена стандартная линейка DDR2-памяти промышленного диапазона температур (-40&seg;C…+85°C) продуктами с возможностью расширенного температурного применения от -40°C до +95°C (код данных компонентов для заказа начинается с «IS46DR»). Устройства DDR2 SDRAM поставляются в корпусах, удовлетворяющих стандарту JEDEC: 126-выводной корпус BGA для 32-битной, 84-выводной корпус BGA для 16-битной, 60-выводной корпус BGA для 8-битной версий.
Подпишись на новости! |