Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

IS61/64WV204816BLL — это быстродействующая статическая память с произвольным доступом (SRAM) объемом 32 Мбит с организацией 2048К слов шириной 16 бит. Эти новые высокопроизводительные, малопотребляющие устройства произведены по передовой CMOS технологии компании ISSI и обеспечивают время доступа к данным за 12 нс при работе в автомобильном диапазоне температур от -40°C до +125°C.

Когда управляющий вывод обращения к микросхеме CS# (Chip Select) находится в высоком состоянии (обращение запрещено) устройство переходит в режим ожидания, при котором мощность потребления снижается до минимума с поддержанием на входах КМОП-уровней напряжения. Каскадное включение нескольких запоминающих устройств существенно облегчается при помощи управляющих выводов разрешения обращения к микросхеме (CS#) и разрешения выхода (OE#). Активное низкое состояние управляющего вывода разрешения записи WE# контролирует запись и чтение данных. Блок управления вводом/выводом обеспечивает независимый доступ к старшему (UB#) и младшему (LB#) байтам, позволяя работать как с 8-битными, так и с 16-битными данными.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: ISSI

Компания Cypress представляет новейшую модель семейства устройств асинхронной SRAM памяти со встроенной схемой коррекции ошибок (ECC).

Данное быстродействующее ОЗУ поддерживает уровень производительности, позволяющий применять его в широком спектре промышленных, телекоммуникационных, медицинских, потребительских и военных приложениях. Будучи полностью совместимыми по функциям, корпусам и назначению выводов с существующей асинхронной SRAM памятью предыдущего поколения, новая быстродействующая SRAM память позволяет разработчикам усовершенствовать свою систему без изменения топологии печатной платы.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Cypress

Компания Cypress, мировой лидер по производству SRAM памяти, предлагает семейство микросхем памяти QDR-IV, являющихся представителями высокопроизводительной линейки продуктов QDR®. SRAM память QDR-IV обеспечивает скорость произвольных транзакций на несколько порядков больше, чем у широко распространённых микросхем памяти и в 2.4 раза больше, чем у предыдущего поколения QDR.

Семейство микросхем памяти QDR-IV включает две серии продуктов: QDR-IV Xtreme Performance (XP) и QDR-IV High Performance (HP). QDR-IV является стандартом высокопроизводительной памяти для сетевых применений и идеально подходит для следующего поколения сетевых устройств, коммуникационного оборудования и вычислительных систем.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Cypress

Представленные компанией Cypress Semiconductor самые быстрые и наиболее эффективные в отрасли микросхемы синхронной QDR II+ SRAM-памяти серии Xtreme отличаются высокой допустимой тактовой частотой до 633 МГц, что позволяет применять их при разработке высокоскоростных сетевых и телекоммуникационных приложений следующего поколения.

Устройства QDR II+ и DDR II+ новой серии Xtreme компании Cypress по типу корпусов, расположению выводов и функциональности полностью совместимы с существующим семейством микросхем QDR II+, обеспечивая производителям сетевых коммутаторов, маршрутизаторов и платформ агрегации возможность повышения производительности путем простого увеличения тактовых частот в рамках существующих систем без каких-либо изменений конструкции платы.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Cypress

Недорогая высокоскоростная CMOS PSRAM с объемом памяти 4 / 8 / 16 / 32 и 64 Мбит

Псевдостатическая память PSRAM представляет собой комбинацию преимуществ динамической памяти DRAM (высокая плотность при малой цене бита) и статической памяти SRAM (низкое энергопотребление и простота использования).

PSRAM – высокоскоростная псевдостатическая CMOS-память, предназначенная для недорогих портативных приложений. Данные устройства поддерживают стандартный промышленный асинхронный интерфейс обмена данными, предлагаемый в других низкопотребляющих микросхемах статической или псевдостатической памяти. Для непрерывного режима работы с асинхронной шиной памяти, в данных PSRAM-компонентах применяется явный механизм саморегенерации. Скрытая регенерация не нуждается в дополнительном обслуживании системным контроллером памяти и не оказывает существенного влияния на производительность операций записи/чтения устройства.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: ISSI

Высокопроизводительная память востребована сейчас во многих современных сетевых, телекоммуникационных, автомобильных, охранных и бытовых приложениях. Продукция DDR2 SDRAM от компании ISSI имеет высокую надежность и имеет гарантированную высокую доступность для удовлетворения потребительского спроса.

Для возможности применения в широком спектре клиентских приложений, компанией ISSI была дополнена стандартная линейка DDR2-памяти промышленного диапазона температур (-40&seg;C…+85°C) продуктами с возможностью расширенного температурного применения от -40°C до +95°C (код данных компонентов для заказа начинается с «IS46DR»). Устройства DDR2 SDRAM поставляются в корпусах, удовлетворяющих стандарту JEDEC: 126-выводной корпус BGA для 32-битной, 84-выводной корпус BGA для 16-битной, 60-выводной корпус BGA для 8-битной версий.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: ISSI

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы