Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
Первый силовой MOSFET-транзистор, выполненный по технологии ThunderFETTM, направленной на снижение сопротивления открытого канала оптимизирован под использование в составе высоковольтных устройств. Новый ThunderFETTM-транзистор SiR880DP является первым силовым MOSFET-транзистором класса 80 В с сопротивления открытого канала, регламентируемым для сигналов управления затвором уровнями 4.5 В. Транзистор выполнен в корпусе PowerPAK® SO-8 и обладает ультранизким сопротивления открытого канала.
SiR880DP оптимизирован для применений в качестве высоковольтного ключа в составе изолированных DC/DC преобразователей для дистанционного питания телекоммуникационных узлов. Очень низкое сопротивление открытого канала обуславливает возможность получение более экологичных и энергосберегающих решений, особенно в условиях небольшой нагрузки, таких как, например, в дежурном режиме. Возможность работы с уровнями управления 4.5 В благоприятна для высокочастотных применений ввиду существенно меньших потерь мощности на управление затвором, особенно в приложениях организации питания через локальную сеть (POL, Power Over LAN) где традиционно используются низковольтные и соответственно дешевые микросхемы 5 В ШИМ-конверторов. До сегодняшнего дня параметры сопротивления открытого канала для MOSFET-транзисторов приводились только для управляющих затворных напряжений уровнями 6 В или выше.
24 Ноя
Серия NTB/P/D641x предназначена для использования в приложениях до 100 В, где необходимо низкое сопротивление открытого канала RDS(ON).
За счет низкого значения RDS(ON) оптимизируется производительность и продляется время жизни батарей при применении в таких сегментах устройств как импульсные источники питания (SMPS, Switch-Mode Power Supply), источники бесперебойного электропитания (UPS, Uninterruptable Power Supply) и устройства управления двигателями постоянного тока. Транзисторы выполнены в двух типах корпусов — для выводного (TO-220) и поверхностного (D2PAK/DPAK) монтажа для приложений с жесткими требованиями к занимаемой площади печатной платы. Имея напряжение пробоя 100 В, данные компоненты удовлетворяют требованиям по устойчивости к переходным процессам при сбросе нагрузки для автомобильных применений, автомобильного стандарта AECQ101.
24 Ноя
N-канальный MOSFET-транзистор с логическим уровнем управления, выполнен в корпусе QFN3333 и работает при температурах до 150°C. Транзистор предназначен и квалифицирован для широкого круга применения в составе промышленного и коммуникационного оборудования, а также устройств электропитания.
Отличаясь малогабаритными размерами, что важно при создании компактных устройств, данные MOSFET-транзисторы являются идеальным выбором разработчиков устройств для промышленности, связи и электропитания. Транзистор обладает высокими показателями производительности вследствие малых потерь на переключение и проводимость.
24 Ноя
Достоинствами низковольтных транзисторов серии OptiMOSTM3 от компании Infineon Technologies одновременно являются как наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала, так и наивысшая скорость переключения, что позволяет реализовывать широкий круг самых разнообразных применений с непревзойденной производительностью работы.
Серия MOSFET-транзисторов в корпусе TO-220, включающая IPP030N10N3, IPP041N12N3 и IPP075N15N3, задает новый уровень исполнения для устройста на класс напряжений 100 В, 120 В и 150 В, соответственно.
24 Ноя
В применениях, таких как синхронные выпрямители в импульсных источниках питания (SMPS, Switch-Mode Power Supply), системах управления электродвигателями и DC/DC преобразователях, определяющими факторами являются большая плотность мощности и высокая эффективность.
Переход от корпусов TO-220 к SuperSO8 позволяет радикально сократить занимаемую площадь на плате и резко повысить плотность мощности. При использовании корпуса SuperSO8 паразитная индуктивность снижена в три раза в сравнении с корпусом TO-220, что позволяет достичь оптимальной эффективности переключений и высочайшей производительности в DC/DC преобразователях и устройствах управления двигателями. Уменьшенная паразитная индуктивность также снижает уровень высокочастотных выбросов напряжения при работе системы и свести к минимуму трудоёмкость разработки. Сниженный уровень коммутационных помех и улучшенная электромагнитная совместимость позволяют считать исполнение SuperSO8 идеальным выбором для построения импульсных источников питания и использования в других промышленных приложениях.
24 Ноя
N-канальный MOSFET-транзистор производится по современной технологии PowerTrench® компании Fairchild Semiconductor, направленной главным образом на минимизацию сопротивления канала в открытом состоянии ключа. Компонент очень хорошо подходит для организации питания и коммутации нагрузки обычно в составе ноутбуков и портативных батарейных модулях.
Преимущества применения:
22 Ноя
Компания Fairchild представила новое семейство MOSFET-транзисторов со стоковым напряжением 30 В, имеющих минимальное значение сопротивления открытого канала (макс. RDS(ON) ), что обеспечивает повышенную эффективность работы в DC/DC применениях. Транзистор FDMS7650 в корпусе Power56 впервые преодолел барьер 1 мОм по сопротивлению открытого канала (макс. RDS(ON)), со значением этого параметра всего лишь 0.99 мОм, при применении обеспечивает уменьшение потерь на переключение, что улучшает полную эффективность работы приложения.
Революционное значение сопротивления открытого канала в транзисторе FDMS7650 стало возможным благодаря применению высокоэффективной технологии производства MOSFET-транзисторов PowerTrench® компании Fairchild. Результатами применения данной технологии, кроме беспрецедентного значения RDS(ON), являются также улучшенные характеристики заряда затвора (QG) и миллеровского заряда (QGD), что минимизирует потери на проводимость и переключение.
19 Ноя
Новые N-канальные силовые MOSFET-транзисторы от компании Vishay Siliconix с низким сопротивлением открытого канала 0.555 Ом, максимальным напряжением на стоке 500 В и улучшенным зарядом затвора 48 нКл
Компания Vishay представляет три новых силовых MOSFET-транзистора на 500 В с ультранизким сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора в корпусах TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK (TO-263).
Низкое сопротивление открытого канала 0.555 Ом в N-канальных силовых MOSFET-транзисторах SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 позволяют повысить энергосбережение за счет снижения потерь на проводимость при использовании в широком кругу применений. Также наряду с вышесказанным заслуживает внимания значение заряда затвора 48 нКл.
19 Ноя
Высокопроизводительные силовые MOSFET-транзисторы для применения в приложениях с напряжениями до 650 В и токами до 20 A
Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) анонсировала новое семейство мощных MOSFET-транзисторов с улучшенной эффективностью работы, более быстрыми скоростями переключения для приложений, работающих в диапазоне напряжений до 650 В и токами до 20 А.
Новая серия транзисторов TK идеально подойдет для использования в новой и активно развивающейся сфере энергосберегающих приложений, включающую корректоры коэффициента мощности (PFC, Power Factor Correction) и осветительные балласты. В процессе создания новых силовых MOSFET-транзисторов компания Toshiba совмещала прогрессивные методы корпусирования наряду с последними -MOS VII полупроводниковыми технологиями.
19 Ноя
Новый корпус, предназначенный для поверхностного монтажа выполнен в безвыводном исполнении, имеет высоту 1 мм и посадочное место 8 х 8 мм, содержит в себе кристалл стандартных промышленных размеров TO-220 и имеет открытую металлизированную площадку для эффективного отвода внутреннего тепла, генерируемого при работе. Небольшие размеры позволят разработчикам добиваться утончения проектируемых узлов питания, создавая более компактные и стильные электронные изделия, которые будут пользоваться спросом на современном рынке.
Подпишись на новости! |