По сравнению с традиционными энергонезависимыми запоминающими устройствами, такими как EEPROM и FLASH, которые выдерживают не более миллиона циклов записи, сегнетоэлектрическая память MB85RS1MT обеспечивает пользователю свыше 10 триллионов циклов записи/чтения и позволяет создавать гибкие в использовании хранилища данных, работающих в реальном масштабе времени.

Кроме того, в отличие от блочного доступа к данным в EEPROM и FLASH памяти, FRAM может быстро и гибко перезаписывать данные в каждую ячейку без каких-либо временных задержек. Благодаря перечисленным свойствам, новый тип памяти имеет значительно меньшее энергопотребление в процессе записи, что положительно сказывается на продолжительности работы конечной системы от аккумулятора. Это особенно важно для переносных приборов и инфраструктур на основе датчиков с функцией частой регистрации данных.

Читать далее »

Устройство идеально подходит для применения в сетях датчиков и системах с функцией накопления энергии, используемых в промышленной автоматике.

Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) представляет сегнетоэлектрическое ОЗУ MB85RDP16LX со сверхмалым энергопотреблением и интегрированным двоичным счётчиком. Новое устройство содержит множество оптимизаций, позволивших снизить потребляемую мощность на 10% по сравнению с традиционной FRAM памятью. MB85RDP16LX предназначена для систем промышленной автоматики, поддерживающих функцию накопления энергии, таких как энкодеры угла поворота, схемы управления двигателями и сети датчиков, а благодаря низкой мощности потребления позволяет строить решения с автономным питанием.

Читать далее »

MB85R4M2T представляет собой ферроэлектрическое ОЗУ объёмом 4 Мбит с параллельным интерфейсом. Устройство доступно в 44-выводном пластиковом корпусе TSOP и совместимо по выводам со стандартной низковольтной памятью SRAM.

По сравнению с моделью MB85R4001A, для данной памяти характерны повышенная надёжность (срок хранения данных — 10 лет при температуре +85 ºC и количество циклов перезаписи до 10¹³), а также более эффективная структура ячеек хранения данных. Благодаря этому MB85R4M2T успешно заменит память SRAM с резервным питанием от батареи в различных приложениях, таких как автоматизация производства, офисное оборудование, системы безопасности и медицинские приборы.

Читать далее »

Новые устройства FRAM памяти повышают энергоэффективность оборудования и способствуют его миниатюризации, оптимизированы для применения в интеллектульных приборах учета, системах промышленной автоматики и медицинских приборах.

Fujitsu Semiconductor анонсировала разработку двух новых моделей сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) — MB85RS1MT и MB85RS2MT, ёмкость которых составляет соответственно 1 Мбит и 2 Мбит. Эти устройства обладают самой большой плотностью данных для FRAM с последовательным доступом, когда-либо выпущенных компанией.

Читать далее »

MB85RC64V представляет собой микросхему энергонезависимой оперативной памяти, отличающуюся быстрым доступом, малой потребляемой мощностью и триллионом (10¹²) циклов перезаписи.

Память типа FRAM сочетает в себе преимущества быстрой записи информации, присущие статической RAM, с возможностью сохранения информации при отключении питания, аналогично Flash-накопителям. Устройство обеспечивает быстрый произвольный доступ к данным, исключительно высокую выносливость — не менее 1 триллиона (10¹²) циклов, а также очень низкое потребление энергии, особенно в режиме записи. MB85RC64V является новым представителем серии микросхем компании Fujitsu с широким диапазоном напряжения питания от 3 В до 5.5 В.

Читать далее »