Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
16 Июл
Низковольтные MOSFET-транзисторы нового поколения от компании Toshiba демонстрируют самые низкие показатели потерь мощности при очень хорошем соотношении цена-производительность.
Транзисторы нового поколения также обладают лучшими электрическими характеристиками и, учитывая высокий показатель добротности (FOM) RDS(ON) x QG и расширенные производственные возможности Toshiba, способны удовлетворить любые требования заказчика. Устройства поставляются в 8-выводном корпусе для поверхностного монтажа DSOP размером 5 мм x 6 мм с металлическим радиатором для эффективного отвода тепла.
Благодаря применению технологии формирования проводящего канала U-MOS удалось достичь наилучшего соотношения сопротивления открытого канала и выходного заряда RDS(ON) x QOSS. Так, транзистор TPHR8504PL с напряжением сток-исток 40 В имеет сопротивление RDS(ON) не более 0.7 мОм (при максимальном значении 0.85 мОм) и типовую величину выходной ёмкости (COSS) 1930 пФ.
Областями применения восьмого и девятого поколений транзисторов семейства U-MOS являются преобразователи постоянного напряжения, синхронные выпрямители и другие схемы управления питанием, основными требованиями к которым служат малое энергопотребление, высокая рабочая частота и малая площадь монтажа.
Отличительные особенности:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Каталог: MOSFET-транзисторы Toshiba Electronics (2.5 МБ) (англ.)
Подробнее о новых низковольтных MOSFET-транзисторах на сайте Toshiba (англ.)
Подпишись на новости! |