Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
20 Июн
Компания ON Semiconductor анонсирует интегральный силовой модуль (PIM) NXH80T120L2Q0PG, выполненный на основе IGBT-транзисторов с технологией Trench Field Stop II и надежных сверхбыстрых диодов с малым временем восстановления.
Устройства выпускаются в полу-мостовой конфигурации с рабочим напряжением 1200 В и током нагрузки 80 А, а также в конфигурации инвертора T-типа с фиксированной нейтральной точкой, рабочим напряжением 600 В и током нагрузки 50 А. При этом максимально достижимое значение КПД превышает 98%. NXH80T120L2Q0PG выпускаются с применением высоковольтной технологии прямого соединения кристалла с медной подложкой (DBC) и запрессованными выводами, что обеспечивает высокую производительность и надежность решения.
IGBT-модуль NXH80T120L2Q0PG |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на NXH80T120L2Q0 (англ.)
Подпишись на новости! |