FCP22N60N обладает малыми RDS(ON) (165 мОм) и зарядом затвора (14.5 нКл), что ориентирует его на применение в источниках питания.

MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO220 и изолированном корпусе TO220F. Максимальная скорость нарастания напряжения составляет 100 В/нс для MOSFET-транзистора и 20 В/нс для внутреннего диода. Ключевые области применения транзистора: каскады коррекции коэффициента мощности (PFC) и резонансные преобразователи.

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FCP22N60N и FCPF22N60NT (англ.)