SupreMOS — новое семейство MOSFET-транзисторов типа Super-Junction

MOSFET-транзисторы типа Super-Junction позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности.

Первые представители семейства — FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр RDS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N — 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной стойкостью к dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии.

Отличительные особенности

  • Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) = 20 мОм на см2
  • dv/dt диода: 20 В/нс (при 200 А/мкс)
  • dv/dt транзистора: 100 В/нс
  • Лавинная энергия: 355 мДж у 199-мОм устройств; 672 мДж у 165-мОм устройств

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FCP16N60N (англ.)

Документация на FCP22N60N (англ.)

Брошюра: Справочник силовых решений (англ.)