Данный прибор содержит два специализированных n-канальных MOSFET-транзистора в корпусе Power33 (MLP, 3 x 3 мм).

Внутренняя схема соединений транзисторов и расположение выводов выполнены с учетом максимального облегчения трассировки печатных проводников на платах понижающих DC/DC-преобразователей с синхронным выпрямлением. Управляющий MOSFET-транзистор (Q1) и MOSFET-транзистор синхронного выпрямления (Q2) разработаны с учетом достижения максимального КПД преобразования.

Отличительные особенности

• n-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® (Q1):
  • R_DS(ON) (макс.): 20 мΩ при V_GS = 10 В, I_D = 6 А
  • R_DS(ON) (макс.): 32 мΩ при V_GS = 4.5 В, I_D = 5 А
• n-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® (Q2):
  • R_DS(ON) (макс.): 9.5 мΩ при V_GS = 10 В, I_D = 9 А
  • R_DS(ON) (макс.): 13.5 мΩ при V_GS = 4.5 В, I_D = 7 А

Архитектура FDMC8200

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на FDMC8200 (англ.)