Компактные корпуса MicroFET™ размером 2 мм х 2 мм и 1.6 мм х 1.6 мм, исключительные тепловые характеристики, защитный стабилитрон.

Компания Fairchild Semiconductor представила два новых P-канальных MOSFET-транзистора FDMA910PZ и FDME910PZT, отличающихся исключительными тепловыми характеристиками среди устройств в миниатюрных корпусах (MicroFET™ размером 2 мм х 2 мм и 1.6 мм х 1.6 мм), что позволяет применять их как в схемах коммутации, так и для работы в линейном режиме. Устройства рассчитаны на рабочее напряжение до 20 В и отличаются малым сопротивлением канала в открытом состоянии. Для защиты от повреждения электростатическим разрядом FDMA910PZ и FDME910PZT оснащены оптимизированной защитой на основе стабилитрона, обеспечивающей снижение максимального тока утечки с 10 мкА до 1 мкА.

P-канальный MOSFET-транзистор FDMA910PZ

Отличительные особенности:

  • FDMA910PZ:
    • Допустимое постоянное напряжение сток–исток: -20 В
    • Рабочий постоянный ток до: -9.4 А
    • Сопротивление открытого канала (макс):
      • 20 мОм при напряжении затвора -4.5 В и токе канала -9.4 А
      • 24 мОм при напряжении затвора -2.5 В и токе канала -8.6 А
      • 34 мОм при напряжении затвора -1.8 В и токе канала -7.2 А
    • Доступны в компактных корпусах MicroFET™ с низким профилем (0.8 мм) размером 2 мм х 2 мм
    • Соответствуют нормативам защиты от статического электричества свыше 2.8 кВ (тип.) для модели человеческого тела (HBM)
    • Не содержат галогенсодержащих соединений и оксидов сурьмы
    • Соответствуют требованиям RoHS
  • FDME910PZT:
    • Допустимое постоянное напряжение сток–исток: -20 В
    • Рабочий постоянный ток до: -8 А
    • Сопротивление открытого канала (макс):
      • 24 мОм при напряжении затвора -4.5 В и токе канала -8 А
      • 31 мОм при напряжении затвора -2.5 В и токе канала -7 А
      • 45 мОм при напряжении затвора -1.8 В и токе канала -6 А
    • Доступны в компактных корпусах MicroFET™ с низким профилем (0.55 мм) размером 1.6 мм х 1.6 мм
    • Соответствуют нормативам защиты от статического электричества свыше 2 кВ (тип.) для модели человеческого тела (HBM)
    • Не содержат галогенсодержащих соединений и оксидов сурьмы
    • Соответствуют требованиям RoHS

Область применения:

  • Мобильные телефоны
  • Портативные навигаторы

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FDMA910PZ (англ.)

Документация на FDME910PZT (англ.)