Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
29 Окт
IGBT транзисторы с замкнутым анодом (Shorted-Anode IGBT) обеспечивают высокую надежность и превосходные характеристики коммутации в системах индукционного нагрева высокой мощности.
Высокомощным и высокочастотным приборам индукционного нагрева для достижения максимальной эффективности необходимы минимальные потери на проводимость и превосходные характеристики коммутации. Новая серия IGBT-транзисторов на напряжения 1100…1400 В с внутренним встречно-параллельным диодом оптимизированы для приложений с плавным режимом переключения. Улучшенные, по сравнению с традиционной Non-Punch-Through (NPT) IGBT технологией, транзисторы с замкнутым анодом компании Fairchild требуют меньшего напряжения насыщения, чем NPT-trench IGBT транзисторы аналогичного класса мощности. Данная особенность обеспечивает лучшие температурные режимы работы, большую эффективность и меньшие потери мощности. Новые IGBT-транзисторы также можно использовать в других однотактных топологиях, например, в повышающей или понижающей, в сочетании с соответствующим быстро-восстанавливающимся диодом (FRD).
Типовая схема однотактной цепи индуктивного нагревателя |
Отличительные особенности:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на FGA20S140P (англ.)
Подпишись на новости! |