Технология корпусов для мощных силовых компонентов с низким сопротивлением открытого канала RDS(ON).

Новые N-канальные MOSFET-транзисторы компании Fairchild Semiconductor произведены с использованием запатентованного технологического процесса Power Trench®, позволяющего минимизировать сопротивление открытого канала и обеспечить низкие потери на переключение. Кроме того, при производстве данных транзисторов применяется фирменная технология размещения кристаллов мощных силовых схем в стандартных корпусах типа PQFN размерами 5 х 6 мм, также способствующая снижению значения RDS(ON).

N-канальный MOSFET-транзистор FDMS86350

Отличительные особенности:

  • Максимальное остаточное сопротивление открытого канала:
    • RDS(ON) = 2.4 мОм, при VGS = 10 В, ID = 25 А
    • RDS(ON) = 3.2 мОм, при VGS = 8 В, ID = 22 А
  • Улучшенная конструкция корпуса и использование особого соединения кремния снижают сопротивление канала и повышают КПД транзистора
  • Корпус с повышенной влагостойкостью, соответствует уровню влажности MSL1
  • Соответствие требованиям директивы RoHS

Область применения:

  • Силовые каскады импульсных источников питания
  • Синхронные выпрямители
  • Коммутаторы нагрузки
  • Ключевые каскады управления электродвигателями

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FDMS86350 (англ.)