Очень низкое сопротивление открытого канала RDS(ON) благодаря технологии Power Clip.

Новый N-канальный MOSFET-транзистор выполнен по улучшенному техпроцессу Power Trench® компании Fairchild Semiconductor, включающему технологию экранирования затвора. Данный техпроцесс обеспечивает оптимальное значение сопротивления открытого канала и высокую эффективность переключения. Также за счёт особой технологии исполнения корпуса Power Clip удалось достичь низкого сопротивления открытого канала при размещении транзистора в корпусе типа PQFN размерами 3.3 x 3.3 мм.

N-канальный MOSFET-транзистор FDMC86340

Отличительные особенности:

  • N-канальный MOSFET-транзистор с экранированным затвором
  • Максимальное напряжение сток-исток 80 В, максимальный ток стока 48 А
  • Максимальное значение сопротивления открытого канала RDS(ON) = 6.5 мОм при напряжении VDS = 10 В и токе ID = 14 A
  • Максимальное значение сопротивления открытого канала RDS(ON) = 8.5 мОм при напряжении VDS = 8 В и токе ID = 12 A
  • Выводы корпуса не содержат свинец
  • Соответствие требованиям директивы RoHS

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FDMC86340 (англ.)