Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
3 Июн
Семейство P-канальных MOSFET-транзисторов FDMC86xxxP, выполненных по технологии PowerTrench®, обеспечивают более компактное решение, отличаются высокой скоростью переключения и меньшей рассеиваемой мощностью и предназначены для применения в схемах управления двигателями, в преобразователях с активной схемой фиксации уровня напряжения (Active Clamp) и коммутаторах нагрузки.
Серия представлена двумя MOSFET-транзисторами FDMC86261P и FDMC86139P с максимальным напряжением сток-исток 150 В и 100 В, соответственно. По сравнению с аналогичными устройствами, новые P-канальные транзисторы обеспечивают показатель добротности (Figure Of Merrit — FOM) по эффективности переключения на 67% выше, чем у ближайшего конкурента. Кроме того, в транзисторах снижены потери на переключение на 38% и потери проводимости – на 46%. Это позволяет сократить размеры схемы и увеличить общую эффективность системы.
Транзисторы доступны в корпусах MLP, размером всего 3 х 3 мм, и отличаются самым низким сопротивлением открытого канала RDS(ON) для устройств такого размера. FDMC86261P и FDMC86139P позволяют снизить тепловыделение и рассеиваемую мощность, повышая тем самым энергоэффективность решения.
P-канальный MOSFET FDMC86xxxP |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на FDMC86139P (англ.)
Документация на FDMC86261P (англ.)
Подпишись на новости! |