Оптрон с драйвером затвора IGBT-транзисторов с выходным током до 2.5 А, функцией обнаружения падения напряжения насыщения, изолированной схемой сигналов ошибки и активным подавлением эффекта Миллера.

Новый оптрон будет интересен разработчикам промышленных приложений, таких как инверторные схемы управления двигателем и высокоэффективные системы питания, которым необходимо высокоинтегрированное решение для управления затвором транзистора с функциями защиты в виде одной микросхемы, позволяющей упростить конструкцию и повысить надежность и эффективность системы.

Новый оптрон FOD8332 обеспечивает выходной ток управления затвором IGBT/MOSFET-транзистора вплоть до 2.5 А. Рабочее пробивное напряжение изоляции оптрона составляет 1414 В, что на 13% превышает этот параметр у конкурирующих продуктов и допускает непосредственную работу с IGBT-транзисторами с напряжением коллектор-эмиттер до 1200 В. Также, по сравнению с аналогичными устройствами, FOD8332 имеет сниженную более чем в два раза чувствительность к синфазным переходным помехам и вполовину меньшую динамическую рассеиваемую мощность на цикл переключения.

Высоковольтные компоненты оптрона позволяют применять его в схемах с высоким напряжением и малыми токами, обеспечивая при этом заданную мощность и повышенный КПД благодаря снижению потерь и фильтрации шумов. FOD8332 снабжён защитными функциями, предотвращающими ложное срабатывание устройства, которое может привести к стрессовым тепловым режимам IGBT-транзистора. Это упрощает проектирование схем и исключает необходимость применения специальных внешних компонентов.

Оптрон произведён по фирменной копланарной технологии Fairchild Optoplanar®, позволяющей оптимизировать конструкцию микросхемы с целью достижения высоких значений изолирующего напряжения и низкой чувствительности к синфазным помехам. FOD8332 поставляется в компактном 16-выводном пластиковом корпусе SO, обеспечивающем высокую степень изоляции.

Внутренняя архитектура FOD8332
Внутренняя архитектура FOD8332

Отличительные особенности:

  • Входной светодиодный каскад поддерживает управление посредством цифровых сигналов ШИМ-выхода
  • Оптически изолированная цепь обратной связи сигналов ошибки
  • Функция активного подавления эффекта Миллера для выключения IGBT-транзистора при высоких значениях dv/dt без использования источника отрицательного напряжения
  • Высокая стойкость к электромагнитным шумам благодаря уровню ослабления синфазных сигналов не менее 35 кВ/мкс, при VCM 1500 В (пик.)
  • Выходной ток до 2.5 А позволяет непосредственно управлять IGBT-транзисторами средней мощности
  • P-канальные транзисторы выходного каскада поддерживают размах выходного напряжения, близкий к уровня напряжения питания (rail-to-rail выход)
  • Широкий диапазон напряжений питания: 15…30 В
  • Максимальное пробивное напряжение изоляции в течение 1 мин. по стандарту UL1577: 4243 В (скз.)
  • Соответствие стандарту DIN-EN/IEC60747-5-5
  • Продолжительное пиковое пробивное напряжение изоляции: 1414 В
  • Пиковое напряжение изоляции перехода: 8000 В
  • Длина пути тока утечки и безопасный зазор: 8 мм

Область применения:

  • Солнечная энергетика
  • Источники бесперебойного питания
  • Схемы управления электродвигателем

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FOD8332 (англ.)