Новые 75-вольтовые транзисторы семейства OptiMOS^TM 3 характеризуются рекордно-низкими значениями сопротивления открытого канала и отличными коммутационными характеристиками. Благодаря малому сопротивлению транзисторов, размещенных в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, и их нагрузочной способности до 50А, появляется возможность уменьшения размеров платы, а также гарантирования идеальных характеристик коммутации и наивысших уровней эффективности.

IPP023NE7N3 G, с его типовым значением R_DS(ON) 2.1 мОм (не более 2.3 мОм), а также тепловым сопротивлением 0.5К/Вт, установил новую рекордную планку для низкоомных MOSFET-транзисторов в 75-вольтовом классе.

BSC092NE7NS3 G поставляется в корпусе SuperSO8 и характеризуется типовым значением R_DS(ON) 3.7 мОм (максимальное не более 4.2 мОм), что позволит создавать новые высокоэффективные решения.

Превосходные электрические характеристики 75-вольтовых транзисторов OptiMOS^TM 3 делают их идеальными для использования в широком числе промышленных и потребительских применений. Несмотря на то, что низковольтные 75-вольтовые транзисторы OptiMOS^TM 3 компании Infineon оптимизированы для работы в каскаде синхронного выпрямления, они также могут использоваться в других применениях, где требуется максимальная эффективность и минимальное занимаемое пространство, в т.ч. сильноточные каскады управления двигателями, высокочастотные DC/DC-преобразователи и усилители мощности звуковых частот класса D.

Отличительные особенности

• Превосходный показатель надежности (FOM) Заряд затвора х R_DS(ON)
• Сверхмалые заряд затвора (Qg) и заряд Миллера (Qgd)
• Самое низкое в мире сопротивление открытого канала (R_DS(ON))
• Наилучшая характеристика коммутации
• Оптимизированная технология для синхронного выпрямления

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Брошюра: Технология 75В OptiMOS^TM 3 (англ.)

Каталог продукции: Управление питанием (англ.)