Достоинствами низковольтных транзисторов серии OptiMOSTM3 от компании Infineon Technologies одновременно являются как наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала, так и наивысшая скорость переключения, что позволяет реализовывать широкий круг самых разнообразных применений с непревзойденной производительностью работы.

Серия MOSFET-транзисторов в корпусе TO-220, включающая IPP030N10N3, IPP041N12N3 и IPP075N15N3, задает новый уровень исполнения для устройста на класс напряжений 100 В, 120 В и 150 В, соответственно.

Передовые технологии, в сочетании с применением высокоэффективных корпусов, таких как CanPAKTM, S3O8 или SuperSO8, предоставляют возможность создания новых решений с наивысшей производительностью и плотностями мощности. Например, MOSFET-транзисторы BSC060N10NS3 на 100 В и BSC190N15NS3 на 150 В, имея сопротивление открытого канала RDS(ON) 6 мОм и 19 мОм соответственно, легко могут быть выбраны в качестве замены выводных элементов на компоненты в малогабаритных высокоэффективных корпусах для поверхностного монтажа, таких как SuperSO8.

 

 

Отличительные особенности

  • Превосходные характеристики переключения
  • Самое низкое в отрасли значение сопротивления открытого кнала RDS(ON)
  • Сверхмалый заряд затвора QG и заряд затвор-сток QGD
  • Превосходный показатель FOM (произведение значений заряд затвора на сопротивление открытого канала)

 

BVDSS
(В)		 Корпус Наименование RDS(ON)
(мОм)
100 TO-220 IPP030N10N3 3.0
D2PAK-7 IPB025N10N3 2.5
SuperSO8 BSC060N10NS3 6.0
S3O8 BSZ160N10N3 16
CanPAKTM BSB056N10NN3 5.6
120 TO-220 IPP041N12N3 4.1
D2PAK-7 IPB036N12N3 3.6
SuperSO8 BSC077N12NS3 7.7
150 TO-220 IPP075N15N3 7.5
D2PAK-7 IPB065N15N3 6.5
SuperSO8 BSC190N15N3 19
S3O8 BSZ520N15N3 52
CanPAKTM BSB150N15NZ3 15

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Брошюра: MOSFET-транзисторы серии OptiMOS на 100…150 В компании Infineon (англ.)