Новые MOSFET-транзисторы семейства OptiMOS™ в безвыводных корпусах от компании Infineon предназначены для использования в сильноточных устройствах и являются лучшим решением для систем управления высокой мощности. Безвыводной корпус TO отличается чрезвычайно компактными размерами, обеспечивает высокую эффективность и низкий уровень паразитного электромагнитного излучения.

Новые MOSFET-транзисторы в безвыводных корпусах поддерживают рабочий ток до 300 А и могут использоваться в таких устройствах, как электропогрузчики, лёгкие транспортные средства с электрическим приводом, электроинструменты, системы распределённого электропитания и телекоммуникационное оборудование. Современная кремниевая технология OptiMOS™ в сочетании с малым сопротивлением корпуса обеспечивают чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала RDS(ON). Это даёт возможность использовать меньшее количество параллельно включенных транзисторов для получения заданной нагрузочной способности и увеличить плотность мощности в различных сильноточных приложениях.

Помимо этого, сниженные на 60% размеры корпуса обеспечивают чрезвычайно компактное решение. Например, по сравнению с 7-выводным корпусом D2PAK, безвыводной корпус TO имеет на 30% меньшую площадь монтажной поверхности.Вдвое меньшая высота корпуса даст значительное преимущество при применении транзисторов в системах с жестко ограниченными габаритами, в таких как коммуникационное оборудование, монтируемое в 19-дюймовую стойку или блейд-серверы. Более того, низкая паразитная индуктивность корпуса снижает уровень электромагнитного излучения, а на 50% большая площадь контакта позволяет избежать утечку электронов, что положительно сказывается на надежности системы.

Отличительные особенности:

  • N-канальный полевой транзистор
  • Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Превосходное показатель добротности FOM (QG х RDS(ON))
  • Максимальная рабочая температура _175°C
  • Низкая паразитная индуктивность корпуса
  • Минимальная утечка электронов за счет большой площади контактов
  • Идеально подходит для схем высокочастотной коммутации и синхронного выпрямления
  • Не содержит галогенов в соответствии с требованиями стандарта IEC61249-2-21

Преимущества:

  • Высокая эффективность и низкая стоимость конечного решения
  • Меньший размер теплоотводящих элементов, отсутствие необходимости параллельного включения большого числа транзисторов для увеличения нагрузочной способности
  • Компактный корпус
  • Высочайшая надёжность вследствие пониженного уровня электромагнитного излучения

Инструментальные средства разработки:

  • Оценочная плата DEMO5KWMCTOLEADLESSTOBO1
    • Оценочная плата мощностью 5 кВт представляет собой схему инвертора для управления мощными двигателями, применяемыми в низкоскоростных электрокарах и электропогрузчиках с напряжением питания 48 В. Данное решение демонстрирует высокую производительность семейства силовых MOSFET-транзисторов OptiMOS™, выполненных в новых безвыводных корпусах TO. При этом особо подчёркивается отсутствие необходимости параллелизации нескольких транзисторов для увеличения нагрузочной способности схемы и оптимальный тепловой режим приборов.
Корпус Наименование VDS
(В)		 ID
(А)		 RDS(ON)
(мОм)
PG-HSOF-8-1 IPT004N03L 30 300 0.4
IPT007N06N 60 300 0.7
IPT020N10N3 100 300 2.0
IPT059N15N3 150 155 5.9

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку