Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
10 Дек
Технология нового поколения Trench 6 обеспечивает более низкое RDS(ON) по сравнению с предшествующими технологиями. Технология Trench 6 также обеспечивает более низкие значения заряда затвора (QG) и сопротивления цепи затвора (RG) и, поэтому, созданные на её основе транзисторы смогут стать инструментом для повышения КПД и частоты преобразования напряжения.
NXP предлагает новые транзисторы T6 в корпусах LFPAK и TO220 на напряжения 25, 30, 40 и 80В. Их рекомендуется использовать в разнообразных промышленных и потребительских применениях, в т.ч. импульсные источники питания, DC/DC-преобразователи, устройства управления электродвигателями, системные блоки ПК и каскады распределения тока между параллельно-включенными источниками питания. Транзисторы Trench 6 отличаются более низким RDS(ON), а также позволяют снизить потери коммутации за счет малого заряда затвора (Qg) и малого обратного восстановления (QRR). Если корпус LFPAK с посадочным местом Power-SO8 (5мм х 6мм) способен пропускать большие токи и обладает малым тепловым сопротивлением, то корпус TO220 идеален для применений, где необходим сквозной монтаж и установка на теплоотвод.
Отличительные особенности
Зарегистрируйтесь сегодня, чтобы получить БЕСПЛАТНЫЙ набор образцов
Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Каталог мощных MOSFET-транзисторов компании NXP за 2009 год (англ.)
Веб-страница NXP по MOSFET-транзисторам на напряжение не более 40 В
Подпишись на новости! |