Новые IGBT-транзисторы имеют высокую надёжность и низкую стоимость благодаря использованию технологии Field Stop для формирования проводящего канала. Они обеспечивают высокую производительность, низкое сопротивление открытого канала с минимальными потерями на переключение в требовательных схемах коммутации.

IGBT-транзисторы отлично подходят для схем резонансных и полумостовых резонансных преобразователей напряжения, а также для схем с мягким режимом переключения. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с плавным переключением и низким прямым напряжением. Применение устройств, выполненных по технологии FSII (Field stop 2), уменьшает потери на 30% и ведет к повышению КПД системы, а также к снижению на 20% температуры корпуса транзистора, что позволяет разработчикам увеличивать общую системную производительность и надежность. Транзисторы оптимизированы для использования в высокопроизводительных преобразователях энергии, бытовой технике и промышленном оборудовании.

Серия IHR с технологией FS2-RC для применения в индукционных нагревателях (NGTBxxN120IHR и NGTBxxN135IHR):

Остальные транзисторы серии:

Отличительные особенности:

• Оптимальны для применения в индукционных печах для приготовления пищи за счёт низкой рабочей температуры корпуса
• Чрезвычайно эффективная конструкция проводящего канала за счёт применения технологии Fieldstop
• Надёжное и недорогое однокристальное решение
• Низкие потери на переключение снижают рассеиваемую мощность системы
• Максимальная рабочая температура перехода: TJmax = 175°C
• Встроенный демпферный диод (серия IHR) или быстродействующий демпферный диод с плавным переключением
• Диапазон рабочих частот переключения: от 20 кГц до 30 кГц
• Отсутствие свинца в конструкции прибора

Область применения:

• Индукционные нагреватели
• Потребительская электроника
• Схемы с плавным переключением

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку