STMicroelectronics: STD150N3LLH6 — технология STripFET™ VI DeepGATE™

Автор: admin

19 Ноя

Компания STMicroelectronics представила новую серию 30-вольтовых силовых транзисторов для поверхностного монтажа, которые достигают максимального значения сопротивления открытого канала всего лишь 2 мОм и, за счет этого, позволяют улучшить энергоэффективность такой продукции как компьютеры, телекоммуникационное и сетевое оборудование.

Благодаря применению технологии STripFET^TM VI DeepGATE^TM нового поколения, которая обеспечивает высокую эквивалентную плотность ячеек, компания ST достигла лучшего в промышленности значения R_DS(ON) по отношению к размерам кристалла. По сравнению с технологией предыдущего поколения достигнуто улучшение примерно на 20%, что позволит применять небольшие силовые корпуса для поверхностного монтажа в импульсных стабилизаторах и DC/DC-преобразователях. Технология также предоставляет преимущества малого заряда затвора, что дает возможность повысить частоту преобразования и, за счет этого, уменьшить размеры пассивных компонентов, в т.ч. дроссели и конденсаторы.

Широкий выбор транзисторов со стандартным расположением выводов в корпусах SO-8, DPAK, PowerFLAT^TM (типоразмеры 5мм x 6мм и 3.3мм х 3.3мм), PolarPAK®, IPAK (сквозной монтаж) и SOT23-6L делает возможным их установку на существующие печатные платы с одновременным улучшением КПД и плотности мощности. Данная особенность улучшает рыночные перспективы семейства транзисторов STripFET VI DeepGATE.

Первым транзистором, который выполнен по новой технологии, стал STL150N3LLH6. Он размещен в корпусе PowerFLAT с размерами 5мм х 6мм и характеризуется наименьшим значением R_DS(ON). Кроме того, был представлен транзистор STD150N3LLH6 в корпусе DPAK со значением R_DS(ON) = 2.4 мОм.

Отличительные особенности