Силовые MOSFET-транзисторы, выполненные по технологии NexFET, отличаются вдвое меньшим зарядом затвора по сравнению с транзисторами с тем же сопротивлением открытого канала. Это даст разработчику возможность повышения КПД источника питания до уровня более 90%. Благодаря возможности управления транзисторами NexFET напряжением 5В могут быть снижены потери не только собственно в транзисторе, но и в драйвере затвора, что способствует улучшению надежности системы.

Понижающие DC/DC-преобразователи с синхронным выпрямлением широко используются в телекоммуникационных применениях, где необходима высокая нагрузочная способность источника питания. В таких применениях наиболее критичным элементом является силовой MOSFET-транзистор, т.к. именно от него зависит результирующий КПД DC/DC-преобразователя. КПД преобразования определяется двумя основными параметрами MOSFET-транзистора: заряд затвора и сопротивление открытого канала. Технология NexFET позволяет как минимум вдвое снизить заряд затвора (QG) по сравнению со стандартной продукцией, представленной на рынке. Более низкий заряд означает, что преобразователи смогут работать на более высоких частотах при сохранении на прежнем уровне потерь мощности или более эффективно на прежней частоте. Сориентироваться в выборе транзисторов NexFET поможет прилагаемая здесь таблица.

 

Наименование Канал VDSS
(В)		 VGS
(В)		 RDS(ON) (Тип.) (мΩ) (Тип.)
QG @
4.5В (нКл)		 (Тип.)
QGD(нКл)
@
10В		 @
4.5В		 @
2.5В		 @
1.8В		 @
1.5В
WLP 1 x 1 мм
Один канал
CSD23201W10 P 12 5 - 66 77 - 110 1.9 0.4
WLP 1 x 1.5 мм
Один канал
CSD25301W1015 P 20 8 - 62 80 - 175 2 0.32
Два канала с общим истоком
CSD75301W1015 P 20 8 - 80 101 150 - 1.5 0.3
QFN 3 x 3 мм
Один канал
CSD16411Q3 N 25 16 8 12 - - - 2.9 0.7
CSD16409Q3 N 25 16 6.2 9.5 - - - 4 1
CSD16406Q3 N 25 16 4.2 5.9 - - - 5.8 1.5
Один канал
CSD25401Q3 P 20 12 - 8.7 13.5 - - 8.8 2.1
QFN 5 x 6 мм
Один канал
CSD16412Q5A N 25 16 9 13 - - - 2.8 0.7
CSD16410Q5A N 25 16 6.8 9.6 - - - 3.9 1.1
CSD16404Q5A N 25 16 4.1 5.7 - - - 6.5 1.7
CSD16413Q5A N 25 16 3.1 4.1 - - - 9 2.5
CSD16403Q5A N 25 16 2.2 2.9 - - - 13.3 3.5
CSD16407Q5 N 25 16 1.8 2.5 - - - 13.3 3.5
CSD16414Q5 N 25 16 1.5 2.1 - - - 16.6 4.4
CSD16401Q5 N 25 16 1.3 1.8 - - - 21 5.2

Отличительные особенности

  • Меньшее сопротивление открытого канала и малый заряд затвора QGD обеспечивают:
    • Увеличение КПД коныертера до 1.6% при полной нагрузке — до 10% при средней/малой нагрузке
    • Снижение потерь управления затвором, снижение тепловыделения — до 30%, что приводит к увеличению надежности
    • Снижение размеров конвертера и увеличение плотности мощности, в два раза выше частоту переключения, снижение размеров выходного фильтра на 50%

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Обзор MOSFET-транзисторов для понижающих DC/DC-конверторов от TI (англ.)

Веб-страница TI по MOSFET-транзисторам с технологией NexFET