Vishay: SiHx12N50C — N-канальные MOSFET-транзисторы

Автор: admin

19 Ноя

Новые N-канальные силовые MOSFET-транзисторы от компании Vishay Siliconix с низким сопротивлением открытого канала 0.555 Ом, максимальным напряжением на стоке 500 В и улучшенным зарядом затвора 48 нКл

Компания Vishay представляет три новых силовых MOSFET-транзистора на 500 В с ультранизким сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора в корпусах TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK (TO-263).

Низкое сопротивление открытого канала 0.555 Ом в N-канальных силовых MOSFET-транзисторах SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 позволяют повысить энергосбережение за счет снижения потерь на проводимость при использовании в широком кругу применений. Также наряду с вышесказанным заслуживает внимания значение заряда затвора 48 нКл.

Ключевой параметр транзистора FOM (Figure Of Merit), используемый при применении в силовых преобразователях и учитывающий два основных параметра — сопротивление открытого канала и общий заряд затвора, имеет значение ниже 24 Ом-нКл. Новые N-канальные транзисторы изготавливаются с использованием Planar Cell технологии Vishay, которая позволяет снизить сопротивление открытого канала транзистора и создать транзисторы, способные выдерживать высокие импульсы энергии в лавинных и коммутационных режимах. В сравнении с MOSFET-транзисторами предыдущих поколений, SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3 и SiHB12N50C-E3 имеют улучшенные характеристики переключения и потерь.

Отличительные особенности

Напряжение сток-исток 500 В
Непрерывный ток нагрузки 12 А
Низкое сопротивление открытого канала, равное 0.555 Ом при напряжении затвора 10 В, снижает потери на проводимость и энергии
Улучшенный заряд затвора 48 нКл
Произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала не более 26.64 Ом*нКл
Производится с использованием технологии планарных ячеек компании Vishay
Отвечает требованиям директивы RoHS 2002/95/EC
Тестирован на лавинный пробой