Новый n-канальный силовой (600 В, 47А ) MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO-247 и характеризуется очень малым сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора. SiHG47N60S отличается самым лучшим в своем классе значением произведения заряда затвора на сопротивление открытого канала (показатель качества).

Транзистор идеально подходит для применения в схемах инверторов и полномостовых ШИМ-управляемых топологиях инверторов солнечных батарей и ветрогенераторов, телекоммуникационного и серверного оборудования, а также систем управления мощными электроприводами.

Силовой n-канальный MOSFET-транзистор SiHG47N60S

Отличительные особенности

• Наилучший в отрасли показатель качества (FOM): 15.12 Ом*нКл
• Сверхнизкое сопротивление открытого канала: 0.07 Ом при напряжении затвора 10 В
• Снижает потери на проводимость и сохраняет энергию
• Выполнен по технологии Super Junction компании Vishay
• Отвечает требованиям RoHS
• 100% тестирован на лавинный пробой

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на SiHG47N60S (англ.)