Еще большая плотность мощности при меньшем тепловыделении!

Новый N-канальный полевой транзистор, выполненный по новейшей технологии TrenchFET Gen IV® компании Vishay, позволяет упростить схему и значительно увеличить эффективность по сравнению с устройствами предыдущего поколения и конкурирующими решениями.

Сдвоенный асимметричный силовой MOSFET-транзистор с рабочим напряжением 30 В в корпусе PowerPAIR® отличается на 57% меньшим сопротивлением открытого канала, на 25% большей плотностью мощности и на 5% большей эффективностью по сравнению с устройствами предыдущего поколения, выпускаемых в этом корпусе. SiZ340DT от компании Vishay Siliconix позволяет снизить потери мощности, уменьшить и упростить схему синхронных понижающих преобразователей напряжения за счет интеграции транзисторов верхнего и нижнего плеча в одном компактном корпусе размером 3 х 3 мм.

Сдвоенный асимметричный N-канальный MOSFET транзистор SIZ340DT-T1-GE3

Отличительные особенности:

  • Напряжение сток-исток VDS: 30 В
  • Постоянный ток стока ID:
    • Канал 1: 30 А (TC = 25°C) / 26.5 А (TC = 70°C)
    • Канал 2: 40 А (TC = 25°C) / 40.0 А (TC = 70°C)
  • Сопротивление открытого канала RDS(ON)
    • Канал 1: 7.9 мОм (VGS = 10 В, ID = 15.6 А)
    • Канал 2: 4.2 мОм (VGS = 10 В, ID = 20.0 А)
    • Канал 1: 11.0 мОм (VGS = 4.5 В, ID = 13.0 А)
    • Канал 2: 5.8 мОм (VGS = 4.5 В, ID = 20.0 А)
  • Постоянный ток диода исток-сток IS:
    • Канал 1: 13.9 А (TC = 25°C)
    • Канал 2: 26.0 А (TC = 25°C)
  • Максимальная рассеиваемая мощность PD:
    • Канал 1: 16.7 Вт (TC = 25°C) / 10.7 Вт (TC = 70°C)
    • Канал 2: 31.0 Вт (TC = 25°C) / 20.0 Вт (TC = 70°C)
  • Рабочая температура перехода TJ: -55°C…+150°C

Область применения:

  • Синхронные понижающие преобразователи
    • Зарядные устройства
    • Компьютерные источники питания
    • Видеокарты
  • Преобразователи типа Point-of-Load (POL)

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SIZ340DT-T1-GE3 (англ.)