Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
3 Апр
Еще большая плотность мощности при меньшем тепловыделении!
Новый N-канальный полевой транзистор, выполненный по новейшей технологии TrenchFET Gen IV® компании Vishay, позволяет упростить схему и значительно увеличить эффективность по сравнению с устройствами предыдущего поколения и конкурирующими решениями.
Сдвоенный асимметричный силовой MOSFET-транзистор с рабочим напряжением 30 В в корпусе PowerPAIR® отличается на 57% меньшим сопротивлением открытого канала, на 25% большей плотностью мощности и на 5% большей эффективностью по сравнению с устройствами предыдущего поколения, выпускаемых в этом корпусе. SiZ340DT от компании Vishay Siliconix позволяет снизить потери мощности, уменьшить и упростить схему синхронных понижающих преобразователей напряжения за счет интеграции транзисторов верхнего и нижнего плеча в одном компактном корпусе размером 3 х 3 мм.
Сдвоенный асимметричный N-канальный MOSFET транзистор SIZ340DT-T1-GE3 |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SIZ340DT-T1-GE3 (англ.)
Подпишись на новости! |