Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
19 Окт
Новые устройства от компании Vishay интегрируют два MOSFET-транзистора в асимметричном корпусе — ключ нижнего плеча, большего размера для меньшего сопротивления открытого канала, и ключ верхнего плеча, меньшего размера для более высокой частоты коммутации.
12-вольтовая (SQJ202EP) и 20-вольтовая (SQJ200EP) транзисторные сборки предлагают более высокопроизводительную альтернативу стандартным 2-канальным силовым MOSFET-транзисторам, ограничивающим оптимальное сочетание рабочих характеристик для сильноточных, высокочастотных понижающих схем преобразования. По сравнению с решениями на основе дискретных компонентов, новые устройства занимают меньшую монтажную площадь и позволяют использовать более компактную печатную плату.
Сборки рассчитаны на работу при максимальной температуре перехода (TJ) до +175°C, что отвечает требованиям надежности для автомобильных приложений. Модель SQJ202EP отлично подходит для схем с напряжением питания не более 8 В и обеспечивает очень низкое сопротивление открытого канала — 3.3 мОм при напряжении затвор-исток 10 В и использовании в нижнем плече силового каскада. Модель SQJ200EP с напряжением сток-исток 20 В, обладающая несколько большим сопротивлением открытого канала — 3.7 мОм, найдет применение в более высоковольтных приложениях.
Сдвоенные MOSFET-транзисторы SQJ202EP/SQJ200EP |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SQJ202EP (англ.)
Документация на SQJ200EP (англ.)
Подпишись на новости! |