Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
23 Авг
Новые MOSFET-транзисторы компании Vishay Siliconix, выполненные по технологии ThunderFET® обладают наименьшим в отрасли сопротивлением открытого канала среди устройств с напряжением сток-исток до 200 В и минимальным напряжением затвора 4.5 В.
Кроме того, показатель качества (FOM) транзисторов SiR610DP при использовании в схемах DC/DC преобразователей является лучшим в своем классе устройств. Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON) приводит к уменьшению потерь проводимости и потребляемой мощности, что позволяет использовать транзисторы в экологичных энергосберегающих приложениях.
SiR610DP оптимизированы для применения в качестве силовых ключей в первичной цепи и в качестве синхронных выпрямителей во вторичной цепи источников питания с гальванической развязкой для телекоммуникационного и сетевого оборудования.
Сравнительные характеристики SiR610DP и устройств предыдущего поколения |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SiR610DP (англ.)
Подпишись на новости! |