Cypress Semiconductor: CY7C4xxx — высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV следующего поколения для передовых сетевых инфраструктур

Автор: admin

3 Июл

Компания Cypress, мировой лидер по производству SRAM памяти, предлагает семейство микросхем памяти QDR-IV, являющихся представителями высокопроизводительной линейки продуктов QDR®. SRAM память QDR-IV обеспечивает скорость произвольных транзакций на несколько порядков больше, чем у широко распространённых микросхем памяти и в 2.4 раза больше, чем у предыдущего поколения QDR.

Семейство микросхем памяти QDR-IV включает две серии продуктов: QDR-IV Xtreme Performance (XP) и QDR-IV High Performance (HP). QDR-IV является стандартом высокопроизводительной памяти для сетевых применений и идеально подходит для следующего поколения сетевых устройств, коммуникационного оборудования и вычислительных систем.

QDR-IV SRAM-память имеет встроенный блок обнаружения и коррекции ошибок (ECC), обеспечивающий целостности данных. Этот блок способен обработать все одноразрядные ошибки памяти, включая ошибки, вызванные космическими лучами и альфа-частицами. В результате модули памяти будут иметь коэффициент ошибок программ (SER) не более 0.01 сбоев/МБ. QDR-IV снабжена функцией программируемой чётности адреса, которая обеспечивает целостность данных на адресной шине. Компанией Cypress предлагается руководство разработчика для быстрого и простого проектирования контроллера памяти для микросхем QDR-IV на основе передовых ПЛИС Stratix–V компании Altera.

Внутренняя архитектура CY7C4142KV13

Преимущества QDR SRAM памяти:

Архитектура QDR SRAM предоставляет произвольный доступ к памяти, необходимый для сетевых и других высокопроизводительных приложений. В этих приложениях память является «узким местом», ограничивающим дальнейший рост производительности системы. Например, в сетевых системах каждый пакет данных требует проведения нескольких транзакций с произвольным доступом к памяти. Поэтому скорость обработки пакета в системе зависит от того, насколько быстро можно обеспечить доступ к памяти. Модули QDR SRAM имеют скорость транзакций доступа к памяти намного выше, чем у традиционных модулей, и таким образом способны устранить указанное выше «бутылочное горлышко», повышая производительность системы. Типовое значение скорости транзакции для QDR-IV SRAM составляет до 2132 Мтранз./с. Такой уровень является критическим для перехода к следующему поколению высокопроизводительных систем.

Отличительные особенности:

Встроенный модуль коррекции ошибок обеспечивает целостность данных и исключает программные ошибки
Модули доступны в двух версиях: QDR-IV HP (скорость передачи данных 1334 Мтранз./с) и QDR-IV XP (скорость передачи данных 2132 Мтранз./с)
Два независимых двунаправленных порта данных памяти DDR1
Функция инверсии шины для снижения шумов при одновременном подключении линий ввода и вывода
Встроенная схема согласования (ODT) снижает сложность плат
Тренинг на перекос для улучшения временных характеристик захвата сигнала
Уровень сигналов ввода-вывода: от 1.2 В до 1.25 В (высокоскоростная приёмопередающая логика (HSTL)/терминированная логика (SSTL)), от 1.1 В до 1.2 В (POD2)
361-выводной корпус FCBGA3
Разрядность шины: x18, x36 бит

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на CY7C4021KV13/CY7C4041KV13 (4Mx18)/(2Mx36), 667 МГц (англ.)