Рабочее напряжение до 650 В, сопротивление открытого канала 24 мОм, допустимый ток до 84 А, корпус TO-247

Новый представитель семейства MDmesh™ V, силовой MOSFET STW88N65M5 компании STMicroelectronics, отличается наименьшим в отрасли сопротивлением канала в открытом состоянии (не превышающем 0.029 Ом) среди устройств с рабочим напряжением 650 В в стандартных корпусах TO-247.

Устройство представляет собой N-канальный MOSFET, изготовленный с использованием собственного инновационного вертикального технологического процесса компании STMicroelectronics в сочетании с горизонтальной топологией PowerMESH™. Данное решение позволило получить транзистор с чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала, не имеющий себе равных среди аналогичных устройств того же класса, что делает его особенно подходящим для приложений, требующих наилучшего соотношения удельной мощности и высокой эффективности.

Отличительные особенности:

  • Лучший в отрасли показатель сопротивления канала в открытом состоянии среди транзисторов в стандартных корпусах TO-247: 0.024 Ом (тип.) при токе ID = 42 А, напряжении VGS = 10 В
  • Высокое напряжение сток-исток: 750 В
  • Высокая скорость нарастания напряжения на затворе: 16 нс (тип.)
  • Малые потери переключения
  • Простое управление
  • 100% тестирование на лавинный пробой

Область применения:

  • Приложения, требующие большой удельной мощности и высокой эффективности:
    • Серверы
    • Силовые инверторы
    • Телекоммуникационное оборудование
    • Мощные устройства заряда аккумуляторных батарей

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Краткая документация на STW88N65M5 (англ.)