Ультраминиатюрные корпуса и класс защиты от импульсных помех с пиковой мощностью 600 Вт

Новые диоды, с размером корпуса всего 3.8 х 2.5 х 1 мм, способны защитить от импульсных помех пиковой мощностью до 600 Вт.

Компания NXP впервые предлагает TVS-диоды, для защиты от импульсных помех 600 Вт (форма импульса 10/1000 мкс), в двухвыводном пластиковом корпусе SOD128 семейства FlatPower для поверхностного монтажа с размерами всего 3.8 x 2.5 x 1 мм. Все соизмеримые по мощности (600 Вт) TVS-продукты, представленные на данный момент на рынке, имеют существенно большие по размерам корпуса, такие как SMA или SMB. Новый корпус SOD128 FlatPower по топологии посадочного места приведен к размерам корпуса SMB, что позволяет прямую замену и позволяет разработчикам экономить место на печатной плате, одновременно получая оптимальную производительность по поглощаемой мощности. На данный момент доступны 35 продуктов данного семейства.

Читать далее »

ESD5V3L1U-02LRH – новый диод для защиты от электростатических разрядов устройств беспроводной связи, включая антенные FM-радиосистемы.

При расположении после антенны в тракте данные диоды осуществляют поглощение электростатических разрядов величиной до ±30 кВ (соответствие стандарту IEC 61000-4-2 степени защиты от контактного электростатического разряда), тем самым защищая радиочастотные цепи, расположенные далее по тракту.

Компания Infineon предлагает данное решение в миниатюрном форм-факторе 0402 EIA, что позволяет легкую интеграцию во входные цепи первичных усилителей в приложениях с жесткими габаритными требованиями.

ESD5V3L1B-02LRH не содержит галогенов, отвечает требованиям RoHS и доступен для заказов в промышленных объемах.

Читать далее »

600-вольтовый 8S2TH06I-M – современный тандемный выпрямительный диод со сверхбыстрым восстановлением!

Новый изолированный 2-выводной корпус TO-220 отличается рекордным значением теплового сопротивления, которое в сочетании с превосходными коммутационными характеристиками и малым прямым падением напряжения, позволяет работать диоду с постоянным током 8А при температуре 120°С.

Читать далее »

Карбид кремния (SiC) – идеальный полупроводниковый материал для построения силовых электронных приборов, которые уверенно превосходят кремниевые (Si) и нитрид-галлиевые (GaN) силовые приборы.

SiC-диоды позволяют добиться рекордных коммутационных характеристик (практически полностью избавлены от потерь коммутации) и отличных характеристик проводимости, особенно при работе с напряжениями 600В и выше. Данные свойства позволяют установить новую рекордную планку по эффективности и снизить сложность импульсных блоков питания. Кроме того, благодаря увеличению диаметра пластины SiC-приборов, эта, прежде экзотическая и дорогостоящая технология, стала более доступной.

Читать далее »

Новый диод для защиты от электростатических разрядов ESD5V3U4RRS настоятельно рекомендуется использовать в USB-интерфейсах, в которые легко проникают электростатические разряды, образованные в результате касания конечного пользователя или разъема другого устройства.

ESD5V3U4RRS размещен в корпусе SOT363 и интегрирует защиту от электростатических разрядов и переходных напряжений для четырех линий передачи данных и одной линии питания. По сравнению с решениями, выполненными на основе дискретных компонентов, например, полимерных супрессоров или варисторов, применение нового прибора позволит снизить количество компонентов, а также затраты на их установку и послемонтажный контроль.

Благодаря размещению в корпусе SOT363, который вдвое меньше наиболее часто используемого в USB-продукции корпуса SOT23-6, применение ESD5V3U4RRS позволит существенно снизить занимаемую на печатной плате площадь.

Читать далее »

Улучшенные выпрямительные диоды Шоттки с повышенной перегрузочной способностью и более низкими параметрами V_F и I_R.

В каждый из приборов входят два мощных выпрямительных диода Шоттки, включенных по схеме с общим катодом и размещенных в изолированном корпусе TO-220. Суммарная нагрузочная способность составляет 10, 20 или 30 Ампер (каждый диод на 5, 10 или 15 Ампер), а обратное напряжение пробоя достигает 150 Вольт.

Читать далее »

Два выпрямительных диода Шотки, включенные по схеме с общим катодом, в корпусах D2PAK и I2PAK.

Данные диоды Шоттки отличаются стойкостью к лавинному пробою с энергетическим уровнем до 350 мДж, что позволяет им прекрасно работать в индуктивных цепях.

Веб-страница ON Semiconductor по MBRB30H60CT

Документация на MBRB30H60CT

SIC-диод — диод Шотки с существенно улучшенными рабочими характеристиками за счет использования основания из карбида кремния.

Применение материала с широкой запрещенной зоной позволяет создавать диоды Шотки на напряжение 600В и сделать ничтожными кольцевые межсоединения, свойственные структуре Шотки. Благодаря минимизации емкостного эффекта при отключении и независимости его от температуры, применение SIC-диодов компании STMicroelectronics позволит улучшить характеристики схем коррекции коэффициента мощности, работающих в сложных окружающих условиях импульсных преобразователей.
Читать далее »

Сдвоенные диоды Шоттки MBRF30H100CTG компании ON Semiconductor доступны в изолированном корпусе TO-220, что облегчает их монтаж. Данные диоды отличаются улучшенными рабочими характеристиками, в т.ч. сниженное прямое падение напряжения, более высокая перегрузочная способность и более низкий обратный ток утечки.
Читать далее »