Компания ON Semiconductor анонсирует интегральный силовой модуль (PIM) NXH80T120L2Q0PG, выполненный на основе IGBT-транзисторов с технологией Trench Field Stop II и надежных сверхбыстрых диодов с малым временем восстановления.

Устройства выпускаются в полу-мостовой конфигурации с рабочим напряжением 1200 В и током нагрузки 80 А, а также в конфигурации инвертора T-типа с фиксированной нейтральной точкой, рабочим напряжением 600 В и током нагрузки 50 А. При этом максимально достижимое значение КПД превышает 98%. NXH80T120L2Q0PG выпускаются с применением высоковольтной технологии прямого соединения кристалла с медной подложкой (DBC) и запрессованными выводами, что обеспечивает высокую производительность и надежность решения.

Читать далее »

Семейство представлено шестью моделями, отличающимися предустановленным значением коэффициента усиления: 50 В/В, 75 В/В, 100 В/В, 200 В/В, 500 В/В и 1000 В/В. Архитектура с нулевым дрейфом напряжения смещения позволяет создавать резистивные датчики тока с максимальным падением напряжения на шунтирующем элементе не более 10 мВ.

Напряжение питания усилителя составляет от 2.7 В до 26 В, а максимальный ток потребления – 100 мкА. Все версии прибора рассчитаны на работу в расширенном диапазоне температур – от -40°C до +125°C. Устройства доступны в 6-выводных корпусах SC70-6 и 10-выводных UQFN.

Читать далее »

Серия NCN51XX представлена как отдельными приемопередатчиками физического уровня (PHY), так и контроллерами доступа к среде (MAC) с интегрированным физическим уровнем, обеспечивающими управление подключением к шине и передачей данных.

Встроенный DC/DC преобразователь формирует из нерегулируемого напряжения шины стабилизированное напряжение питания, как, собственно, приемопередатчика, так и внешних устройств. NCN51XX гарантируют надежное и безопасное подключение к / отключение от шины KNX, не требуя при этом использование внешнего источника тактового сигнала.

Читать далее »

Это однокристальное решение обеспечивает широкий спектр применений в среде Интернета вещей. Чувствительность приемника, составляющая -126 дБм на частоте 868 МГц, и скорость передачи данных 1.2 кбит/с при токе потребления всего 9.5 мА, делают AX8052F143 по-настоящему передовым устройством в этой среде приложений.

Помимо этого, AX8052F143 отличается высокоэффективным, малошумящим передатчиком, мощностью 16 дБм, поддерживающего скорость передачи данных от 0.1 кбит/с до 125 кбит/м в диапазоне рабочих частот от 27 МГц до 1050 МГц. Такие рабочие характеристики устройства позволяют успешно применять его в самом широком спектре приложений, включая автоматическую передачу данных приборов учета и беспроводные системы сигнализации и безопасности.

Читать далее »

AX5043 отличается чрезвычайно низким энергопотреблением в режимах приемника и передатчика наряду с высокой чувствительностью и избирательностью по соседнему каналу.

Энергетический потенциал линии связи при скорости передачи данных 1 кбит/с составляет 143 дБ, а при включенном режиме опережающей коррекции ошибок (FEC) это значение увеличивается до 146 дБ без использования внешних компонентов. AX5043 превосходно работает на скорости передачи данных 1 кбит/с при ширине канала 6.25 кГц.

Читать далее »

Серия драйверов разработана для замены дискретных компонентов в схемах управления светодиодами в низковольтных (NUD4001 — 5.0 В, 12 В и 24 В) и высоковольтных (NUD4011 — до 200 В) приложениях с питанием от сети переменного тока или источников питания постоянного тока.

Оба устройства имеют вывод для подключения внешнего резистора, с помощью которого задается ток через светодиоды. Драйверы изготовлены путем интеграции набора дискретных компонентов в едином корпусе, что позволило значительно уменьшить размеры устройства и снизить его стоимость. Приборы выпускаются в компактном корпусе SO-8 для поверхностного монтажа.

Для модели NUD4001 дополнительно предлагается оценочная плата NUD4001DGEVB.

Читать далее »

Новые IGBT-транзисторы имеют высокую надёжность и низкую стоимость благодаря использованию технологии Field Stop для формирования проводящего канала. Они обеспечивают высокую производительность, низкое сопротивление открытого канала с минимальными потерями на переключение в требовательных схемах коммутации.

IGBT-транзисторы отлично подходят для схем резонансных и полумостовых резонансных преобразователей напряжения, а также для схем с мягким режимом переключения. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с плавным переключением и низким прямым напряжением. Применение устройств, выполненных по технологии FSII (Field stop 2), уменьшает потери на 30% и ведет к повышению КПД системы, а также к снижению на 20% температуры корпуса транзистора, что позволяет разработчикам увеличивать общую системную производительность и надежность. Транзисторы оптимизированы для использования в высокопроизводительных преобразователях энергии, бытовой технике и промышленном оборудовании.

Читать далее »

Данные транзисторы произведены с использованием фирменной технологии ON Semiconductor Trench, специально разработанной для минимизации заряда затвора и достижения сверхнизкого значения сопротивления открытого канала.

Новые MOSFET-транзисторы подходят для приложений, в которых требуется обеспечить низкий заряд затвора для управления силовым ключом и его низкое сопротивление открытого канала. Примерами таких приложений могут служить схемы защиты аккумуляторов и устройства управления электродвигателем.

Читать далее »

Транзисторы предназначены для использования в сетевых узлах передачи данных, системах телекоммуникаций и промышленных приложениях.

Отличительные особенности:

• Компактные размеры: 5 мм x 6 мм
• Корпус UDFN с открытой площадкой стока для наилучшего отвода тепла, доступна версия в низкопрофильном корпусе UDFN размером 1.6 мм x 1.6 мм x 0.55 мм для устройств с ограниченными габаритами (NTLUS4C16N)
• Низкое сопротивление открытого канала R_{DS(ON) минимизирует потери проводимости}
• Низкий заряд затвора Q_G и его емкость уменьшают потери в драйвере
• Прибор прошёл сертификацию по автомобильному стандарту AEC−Q101 и по методике PPAP (процесс одобрения компонента к производству) (NVMFS5C442NL, NVMFS5C404NL, NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL и NVMFS5C646NL)
• Версия корпуса со «смачиваемыми фланцами» для упрощения процесса оптического контроля при пайке (NVMFS5C442NLWF, NVMFS5C404NLWF, NVMFS5C604NLWF, NVMFS5C612NLWF, NVMFS5C646NLWF и NTMFS5C612NLWF)
• Конструкция прибора не содержит свинец, галоидные соединения и бромсодержащий антипирен, что соответствует требованиям директивы RoHS (только серии NTMFS6BxxN и NTLUS4C16N)

Читать далее »

Новые IGBT-транзисторы выполнены по надежной и недорогой архитектуре Field Stop II Trench, обеспечивающей высокую производительность в требовательных схемах коммутации за счёт низкого остаточного сопротивления и минимальных потерь на переключение.

Ниже перечислены параметры IGBT-транзисторов, одинаково хорошо подходящих для бесперебойных источников питания, солнечных инверторов и схем управления электродвигателями. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с малым падением прямого напряжения. Приборы серии L2 специально разработаны для схем управления двигателями, но также отлично подойдут для применения в сварочных аппаратах.

Читать далее »