По-настоящему автомобильный силовой корпус с посадочным местом SO8

Компания NXP предлагает автомобильные MOSFET-транзисторы в инновационном корпусе LFPAK. Его уникальная конструкция позволила получить надежный корпус с посадочным местом SO8, который обладает высокой тепловой эффективности и соответствует стандарту AEC Q101. В настоящее время доступны транзисторы с 30 различными значениями R_DS(ON) на напряжения от 30 до 100 Вольт.

MOSFET-транзисторы компании NXP, размещенные в корпусе LFPAK с улучшенными теплорассеивающими свойствами, оптимизированы для использования в автомобильной электронике с высокой плотностью мощности. Корпус LFPAK отличается уникальным сочетанием очень малого сопротивления корпуса, высокой надежности и отличных тепловых характеристик. При этом, корпус является еще и миниатюрным. Это означает, что его можно установить в любой части автомобиля, где это максимально необходимо.

Читать далее »

Новые транзисторы OptiMOS-T2 являются эталонными для применений, где необходимо энергосбережение, снижение выбросов CO2, используются электроприводы и др.

Транзисторы OptiMOS-T2 доступны в исполнениях на напряжения 30, 40 и 60В и являются расширением для существующих семейств OptiMOS-T и OptiMOS.

Читать далее »

Компания Fairchild предлагает новое семейство 30-вольтовых MOSFET-транзисторов с наименьшим сопротивлением R_DS(ON) для улучшения КПД каскадов преобразования постоянного напряжения. FDMS7650 в корпусе Power56 стал первым транзистором, который преодолел барьер в 1 мОм. Его максимальное значение R_DS(ON) составляет всего лишь 0.99 мОм, что способствует снижению потерь коммутации и улучшению общей эффективности.

FDMS7650, благодаря выполнению по улучшенной технологии PowerTrench®, способен добиться рекордно-низких значений R_DS(ON). Данная технология, помимо малых значений R_DS(ON), также обеспечивает пониженные значения общего заряда затвора (Q_G) и заряда емкости Миллера (Q_GD). Совместно данные улучшения позволят улучшить КПД силового каскада за счет минимизации потерь проводимости и коммутации.

Читать далее »

Новые 500-вольтовые силовые MOSFET-транзисторы компании Vishay-Siliconix характеризуются сопротивлением открытого канала 0.270 Ом и доступностью в корпусах TO-220, TO-220F и TO-247. Они могут служить более энергоэффективной заменой аналогичным транзисторам в разнообразных электронных системах.

Три новых транзистора компании Vishay в корпусах TO-220 (SiHP18N50C), TO-220F FULLPAK (SiHF18N50C) и TO-247 (SiHG20N50C) выполнены по n-канальной планарной полевой технологии поколения 6.2. Они отличаются малым сопротивлением открытого канала, что позволяет снизить потери проводимости и улучшить энергоэффективность во многих электронных системах. По сравнению с силовыми 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами предыдущего поколения, новые транзисторы характеризуются улучшенными характеристиками крутизны и обратного восстановления.

Читать далее »

Транзисторы Toshiba выполнены по новой технологии DTMOS II и охватывают диапазон токов 12, 15 и 20 Ампер. Они характеризуются лучшими в своем классе характеристиками заряда затвора и сопротивления открытого канала, способствующие повышению эффективности процесса коммутации. Структура Super Junction дополнительно способствует улучшению робастности и стойкости к перенапряжениям. По сравнению с обычными MOSFET-транзисторами, данные транзисторы предлагают на 68 процентов меньшее произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала.

Транзисторы выполнены по инновационной технологии корпусирования, за основу которой взят изолированный корпус TO-220. Проволочные соединители в нём заменены на формованные медные соединители. В отличие от проволочного соединения, так называемая технология WARP обеспечивает двухкратное увеличение тока перегорания соединителя, снижение его сопротивления и улучшение тепловых характеристик не в ущерб стоимости.

Читать далее »

MDmesh V – инновационная 650-вольтовая технология, которая позволяет снизить потери в применениях, где требуется улучшение энергоэффективности. С её помощью разработчики получают возможность создания продукции, экономичность которой достигается за счет применения транзисторов с наименьшим отношением сопротивления открытого канала к размеру кристалла по сравнению с представленными в настоящее время на рынке аналогичными (т.е. такого же класса напряжения) силовыми MOSFET-транзисторами. Данная технология является наиболее эффективной на рынке. Она позволяет сэкономить энергию, которая обычно теряется в каскадах источников питания компьютеров, телевизоров, бытовой техники и другой похожей продукции. К числу других возможных сфер применения относятся возобновляемые источники энергии. Здесь появляется возможность сэкономить часть жизненно-важных ватт мощности, которые обычно теряются в силовых модулях преобразования напряжения, например, солнечных элементов.

Читать далее »

Данный n-канальный силовой MOSFET-транзистор характеризуется напряжением пробоя 600В и сопротивлением открытого канала 0.65 Ом. Малое значение R_DS(ON) и высокое быстродействие коммутации способствуют улучшению КПД.

Преимущества

• Повышает КПД
• Более быстрое включение
• RoHS-совместимость
• Надежная работа

Читать далее »

Новые 6000-вольтовые транзисторы CoolMOS^TM C6 обладают всеми преимуществами быстроты коммутации MOSFET-транзисторов типа Super-Junction и, при этом, на настоящий момент предлагают лучшее отношение цена/качество на рынке. Более того, транзисторы C6 отличаются чрезвычайно малыми потерями проводимости и коммутации, что способствует повышению эффективности, улучшению тепловых режимов, уменьшению размеров и снижению массы.

Транзисторы CoolMOS^TM C6 просты в применении. Они прекрасно подходят для использования в разнообразных каскадах преобразования энергии, в т.ч. каскады коррекции коэффициента мощности и широтно-импульсной модуляции. В семейство CoolMOS^TM C6 входят современные транзисторы типа Super-Junction с множеством преимуществ, в т.ч. очень малые потери на емкостях и очень низкие значения R_DS(ON), что способствует повышению эффективности, снижению габаритов и массы, а также улучшению тепловых режимов. В тоже время, существенно улучшены управление процессом коммутации и стойкость к паразитным индуктивностям и емкостям на плате.

Читать далее »

SupreMOS — новое семейство MOSFET-транзисторов типа Super-Junction

MOSFET-транзисторы типа Super-Junction позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности.

Первые представители семейства — FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр R_DS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N — 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной стойкостью к dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии.

Читать далее »

Семинар посвящен процессорам OMAP компании Texas Instruments и отладочной плате EBVBeagle Board.

Приглашаем специалистов в области электроники и программистов.

На семинаре будут представлены последние разработки TI в области высокопроизводительных ARM-процессоров (ARM9, Cortex-A8). Будут рассмотрены архитектурные особенности процессоров, встроенная периферия.

Участники семинара получат всю необходимую информацию для начала разработки приложений на базе данных процессоров, работающих под управлением операционных систем Linux и Windows Embedded CE.

EBV Elektronik продемонстрирует EBVBeagle Board – одноплатный мини компьютер на базе процессора OMAP3530, самое простое и дешевое, в то же время эффективное средство отладки.

Читать далее »