Новое семейство TK100 сверх эффективных, высокоскоростных MOSFET–транзисторов компании Toshiba отличается непревзойденным сочетанием исключительно малого сопротивления канала в открытом состоянии и малой входной емкости.

Семейство представлено транзисторами с номинальным рабочим напряжением от 60 В до 120 В (в настоящий момент доступны устройства с напряжением до 100 В) и позволяет разработчикам уменьшить размеры и повысить эффективность и производительность узлов вторичного синхронного выпрямления в импульсных блоках питания. Использование восьмого поколения N-канального технологического процесса U-MOSVIII-H компании Toshiba обеспечило снижение произведения сопротивления открытого канала на входную емкость (основной показатель качества MOSFET-транзисторов) до 42% по сравнению с устройствами предыдущих поколений.

Читать далее »

Компактные корпуса MicroFET™ размером 2 мм х 2 мм и 1.6 мм х 1.6 мм, исключительные тепловые характеристики, защитный стабилитрон.

Компания Fairchild Semiconductor представила два новых P-канальных MOSFET-транзистора FDMA910PZ и FDME910PZT, отличающихся исключительными тепловыми характеристиками среди устройств в миниатюрных корпусах (MicroFET™ размером 2 мм х 2 мм и 1.6 мм х 1.6 мм), что позволяет применять их как в схемах коммутации, так и для работы в линейном режиме. Устройства рассчитаны на рабочее напряжение до 20 В и отличаются малым сопротивлением канала в открытом состоянии. Для защиты от повреждения электростатическим разрядом FDMA910PZ и FDME910PZT оснащены оптимизированной защитой на основе стабилитрона, обеспечивающей снижение максимального тока утечки с 10 мкА до 1 мкА.

Читать далее »

Компания Vishay Intertechnology представила первое семейство 30-вольтовых силовых N-канальных MOSFET-транзисторов, выполненных по вертикальной технологии нового поколения TrenchFET® Gen IV. Использование новой структуры кристалла с высокой плотностью компоновки ячеек обеспечивает SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN лучший в отрасли показатель сопротивления открытого канала: не более 1.35 мОм при напряжении на затворе 4.5 В, а также низкий общий заряд затвора (до 1.8 нКл). Транзисторы доступны в корпусах PowerPAK® SO-8 и 1212-8.

Инновационные решения, использованные при разработке технологии TrenchFET, основываются на множестве патентов, включая фундаментальные технологические патенты, зарегистрированные в начале 1980-х годов.

Читать далее »

Семейства полностью масштабируемых интеллектуальных силовых коммутаторов верхнего уровня в корпусах DPAK и D2PAK

Компания Infineon расширила свой ассортимент сильноточных транзисторов PROFET^TM в корпусах DPAK и D²PAK четырьмя новыми одноканальными приборами.

Совместно с существующим ассортиментом новые приборы образуют полностью масштабируемое по параметру R_DS(ON) семейство совместимых по расположению выводов и функциональности приборов. Значения R_DS(ON) варьируются от 8 до 16 мОм (8, 10, 12, 14 и 16 мОм) для корпуса DPAK и от 7 до 9 мОм (7, 8 и 9 мОм) для корпуса D²PAK (доступны исполнения для выводного и поверхностного монтажа).

Масштабируемость обширного ассортимента транзисторов Infineon является уникальным предложением на рынке для силовых коммутаторов верхнего уровня, которое дает возможность оптимизировать разводку печатной платы и использовать одну и ту же печатную плату для установки различных приборов и, как следствие, коммутации отличающихся нагрузок.

Читать далее »

Компания Infineon Technologies представила новую серию транзисторов CoolMOS™ CE, являющуюся привлекательной альтернативой современным стандартным MOSFET транзисторам при разработке источников питания для приложений, требовательных к стоимости, таких как бытовая электроника, системные блоки персональных компьютеров и импульсные источники питания для систем освещения.

Устройства сочетают в себе все преимущества современных MOSFET, основанных на технологии суперперехода: малое сопротивление канала в открытом состоянии, снижение потерь при переключении и высокая надежность внутреннего диода.

Читать далее »

Компания Vishay объявила о выпуске новой серии высоковольтных n-канальных MOSFET транзисторов с рабочим напряжением 600 В и 650 В, рассчитанных на широкий диапазон токов от 7 А до 77 А (в зависимости от типа транзистора), отличающихся ультранизким сопротивлением канала в открытом состоянии (от 36 мОм до 600 мОм при напряжении на затворе10 В).

Созданные на основе технологии Vishay следующего поколения Super Junction, представленные транзисторы серии E отличаются сверхнизким зарядом затвора и малым временем включения, что является основными показателями качества MOSFET транзисторов, используемых в преобразователях энергии. Благодаря использованию новой технологии, сопротивление транзисторов серии E в открытом состоянии уменьшено на 30% по сравнению с устройствами предыдущего поколения серии S. В зависимости от приложения, эти устройства способны обеспечить более высокую плотность мощности и достигать новых уровней эффективности. Благодаря малым входным емкостям новых устройств также снижены потери мощности в цепи управления затвором.

Читать далее »

Рабочее напряжение до 650 В, сопротивление открытого канала 24 мОм, допустимый ток до 84 А, корпус TO-247

Новый представитель семейства MDmesh™ V, силовой MOSFET STW88N65M5 компании STMicroelectronics, отличается наименьшим в отрасли сопротивлением канала в открытом состоянии (не превышающем 0.029 Ом) среди устройств с рабочим напряжением 650 В в стандартных корпусах TO-247.

Устройство представляет собой N-канальный MOSFET, изготовленный с использованием собственного инновационного вертикального технологического процесса компании STMicroelectronics в сочетании с горизонтальной топологией PowerMESH™. Данное решение позволило получить транзистор с чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала, не имеющий себе равных среди аналогичных устройств того же класса, что делает его особенно подходящим для приложений, требующих наилучшего соотношения удельной мощности и высокой эффективности.

Читать далее »

Семейство мощных MOSFET-транзисторов с вертикальными затворами для использования в автомобильных приложениях сочетает преимущества новейшего trench-MOS технологического процесса компании Toshiba с расширенными корпусами DPAK+. Устройства позволяют значительно повысить производительность при одновременном уменьшении размеров печатных плат и снижении уровня шумов в таких автомобильных приложениях, как импульсные стабилизаторы и преобразователи постоянного напряжения, системы управления электроприводами.

В состав семейства включены одиннадцать n – канальных транзисторов с предельно допустимыми рабочими напряжениями 40 В, 60 В и 100 В, а также десять р — канальных устройств с предельно допустимыми рабочими напряжениями -40 В и -60 В. Допустимые токи составляют от ± 8 А до ± 80 А в зависимости от конкретной модели.

Читать далее »

У компании NXP Semiconductors представлена широкая номенклатура малосигнальных полевых МОП-транзистров (MOSFET), пригодных для различных сфер применения.

Передовые решения компании обеспечивают гибкость и производительность выпускаемой продукции, соответствующие требованиям современного рынка. NXP предлагает широкий спектр универсальных MOSFET-транзисторов, доступных в различных вариантах корпусов, от самого большого SOT223 до SOT883 — самого маленького MOSFET в мире. Новые разработки корпусов в безвыводном исполнении с дополнительным радиатором, таких как SOT1118, открывают пути улучшения эффективности, увеличения мощности и сокращения занимаемого места на плате.

Читать далее »

Транзистор отличается чрезвычайно высокой надежностью и производительностью и предназначен для применения импульсных 100-вольтовых приложениях с рабочей частотой до 250 МГц.

STAC4932B может с успехом применяться в промышленном, научно-исследовательском и медицинском оборудовании. Высокие рабочие характеристики транзистора достигнуты благодаря эффективной технологии корпусирования последнего поколения, также известной под названием STAC®.

Читать далее »