N-канальный MOSFET-транзистор с логическим уровнем управления, выполнен в корпусе QFN3333 и работает при температурах до 150°C. Транзистор предназначен и квалифицирован для широкого круга применения в составе промышленного и коммуникационного оборудования, а также устройств электропитания.

Отличаясь малогабаритными размерами, что важно при создании компактных устройств, данные MOSFET-транзисторы являются идеальным выбором разработчиков устройств для промышленности, связи и электропитания. Транзистор обладает высокими показателями производительности вследствие малых потерь на переключение и проводимость.

Читать далее »

Достоинствами низковольтных транзисторов серии OptiMOS^TM3 от компании Infineon Technologies одновременно являются как наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала, так и наивысшая скорость переключения, что позволяет реализовывать широкий круг самых разнообразных применений с непревзойденной производительностью работы.

Серия MOSFET-транзисторов в корпусе TO-220, включающая IPP030N10N3, IPP041N12N3 и IPP075N15N3, задает новый уровень исполнения для устройста на класс напряжений 100 В, 120 В и 150 В, соответственно.

Читать далее »

В применениях, таких как синхронные выпрямители в импульсных источниках питания (SMPS, Switch-Mode Power Supply), системах управления электродвигателями и DC/DC преобразователях, определяющими факторами являются большая плотность мощности и высокая эффективность.

Переход от корпусов TO-220 к SuperSO8 позволяет радикально сократить занимаемую площадь на плате и резко повысить плотность мощности. При использовании корпуса SuperSO8 паразитная индуктивность снижена в три раза в сравнении с корпусом TO-220, что позволяет достичь оптимальной эффективности переключений и высочайшей производительности в DC/DC преобразователях и устройствах управления двигателями. Уменьшенная паразитная индуктивность также снижает уровень высокочастотных выбросов напряжения при работе системы и свести к минимуму трудоёмкость разработки. Сниженный уровень коммутационных помех и улучшенная электромагнитная совместимость позволяют считать исполнение SuperSO8 идеальным выбором для построения импульсных источников питания и использования в других промышленных приложениях.

Читать далее »

N-канальный MOSFET-транзистор производится по современной технологии PowerTrench® компании Fairchild Semiconductor, направленной главным образом на минимизацию сопротивления канала в открытом состоянии ключа. Компонент очень хорошо подходит для организации питания и коммутации нагрузки обычно в составе ноутбуков и портативных батарейных модулях.

Преимущества применения:

• MOSFET-транзисторы на 25 и 35 В с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала R_DS(ON)
• Высокая эффективность работы при малых размерах
• Наименьшие потери на проводимость
• Превосходные температурные характеристики

Читать далее »

Компания Fairchild представила новое семейство MOSFET-транзисторов со стоковым напряжением 30 В, имеющих минимальное значение сопротивления открытого канала (макс. R_DS(ON) ), что обеспечивает повышенную эффективность работы в DC/DC применениях. Транзистор FDMS7650 в корпусе Power56 впервые преодолел барьер 1 мОм по сопротивлению открытого канала (макс. R_DS(ON)), со значением этого параметра всего лишь 0.99 мОм, при применении обеспечивает уменьшение потерь на переключение, что улучшает полную эффективность работы приложения.

Революционное значение сопротивления открытого канала в транзисторе FDMS7650 стало возможным благодаря применению высокоэффективной технологии производства MOSFET-транзисторов PowerTrench® компании Fairchild. Результатами применения данной технологии, кроме беспрецедентного значения R_DS(ON), являются также улучшенные характеристики заряда затвора (Q_G) и миллеровского заряда (Q_GD), что минимизирует потери на проводимость и переключение.

Читать далее »

Новые N-канальные силовые MOSFET-транзисторы от компании Vishay Siliconix с низким сопротивлением открытого канала 0.555 Ом, максимальным напряжением на стоке 500 В и улучшенным зарядом затвора 48 нКл

Компания Vishay представляет три новых силовых MOSFET-транзистора на 500 В с ультранизким сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора в корпусах TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK (TO-263).

Низкое сопротивление открытого канала 0.555 Ом в N-канальных силовых MOSFET-транзисторах SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 позволяют повысить энергосбережение за счет снижения потерь на проводимость при использовании в широком кругу применений. Также наряду с вышесказанным заслуживает внимания значение заряда затвора 48 нКл.

Читать далее »

Высокопроизводительные силовые MOSFET-транзисторы для применения в приложениях с напряжениями до 650 В и токами до 20 A

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) анонсировала новое семейство мощных MOSFET-транзисторов с улучшенной эффективностью работы, более быстрыми скоростями переключения для приложений, работающих в диапазоне напряжений до 650 В и токами до 20 А.

Новая серия транзисторов TK идеально подойдет для использования в новой и активно развивающейся сфере энергосберегающих приложений, включающую корректоры коэффициента мощности (PFC, Power Factor Correction) и осветительные балласты. В процессе создания новых силовых MOSFET-транзисторов компания Toshiba совмещала прогрессивные методы корпусирования наряду с последними -MOS VII полупроводниковыми технологиями.

Читать далее »

Новый корпус, предназначенный для поверхностного монтажа выполнен в безвыводном исполнении, имеет высоту 1 мм и посадочное место 8 х 8 мм, содержит в себе кристалл стандартных промышленных размеров TO-220 и имеет открытую металлизированную площадку для эффективного отвода внутреннего тепла, генерируемого при работе. Небольшие размеры позволят разработчикам добиваться утончения проектируемых узлов питания, создавая более компактные и стильные электронные изделия, которые будут пользоваться спросом на современном рынке.

Читать далее »

Данный N-канальный силовой MOSFET-транзистор рассчитан на напряжение пробоя до 600 В и имеет сопротивление открытого канала 0.65 Ом. Кроме малого сопротивление открытого канала сток-исток R_DS(ON), транзистор имеет повышенную скорость переключения, положительно отражающуюся на эффективности работы.

Преимущества применения:

• Улучшение производительности работы системы
• Более быстрое время включения
• Соответствие требованиям RoHS
• Надежность работы

Читать далее »

Силовые MOSFET-транзисторы, выполненные по технологии NexFET, отличаются вдвое меньшим зарядом затвора по сравнению с транзисторами с тем же сопротивлением открытого канала. Это даст разработчику возможность повышения КПД источника питания до уровня более 90%. Благодаря возможности управления транзисторами NexFET напряжением 5В могут быть снижены потери не только собственно в транзисторе, но и в драйвере затвора, что способствует улучшению надежности системы.

Понижающие DC/DC-преобразователи с синхронным выпрямлением широко используются в телекоммуникационных применениях, где необходима высокая нагрузочная способность источника питания. В таких применениях наиболее критичным элементом является силовой MOSFET-транзистор, т.к. именно от него зависит результирующий КПД DC/DC-преобразователя. КПД преобразования определяется двумя основными параметрами MOSFET-транзистора: заряд затвора и сопротивление открытого канала. Технология NexFET позволяет как минимум вдвое снизить заряд затвора (Q_G) по сравнению со стандартной продукцией, представленной на рынке. Более низкий заряд означает, что преобразователи смогут работать на более высоких частотах при сохранении на прежнем уровне потерь мощности или более эффективно на прежней частоте. Сориентироваться в выборе транзисторов NexFET поможет прилагаемая здесь таблица.

Читать далее »