Компактнее, быстрее, холоднее

Компания NXP представляет серию высокопроизводительных, N-канальных MOSFET-транзисторов логического уровня в корпусах LFPAK.

Новые транзисторы серии NextPower от компании NXP обеспечивают уникально сбалансированные характеристики по шести наиболее важным параметрам, необходимым в современных высокоэффективных и надежных приложениях.

Большинство производителей фокусирует внимание на оптимизации только таких параметров как сопротивление открытого канала R_DS(ON) и заряд затвора Q_G. Поскольку величина заряда затвора постоянно снижается, потери, связанные с величиной выходного заряда Q_OSS и заряда затвор-сток Q_GD, становятся более существенными. Транзисторы NextPower используют технологию суперперехода (Superjunction), обеспечивая оптимальный баланс между низкими значениями сопротивления открытого канала, выходного заряда, суммарного заряда затвора и заряда затвор-сток для максимальной эффективности коммутации.

Читать далее »

Компания Infineon приступила к выпуску новых 60-вольтовых слабо сигнальных полевых транзисторов семейства OptiMOS™3 в компактных корпусах TSOP-6, SC59 и SOT-89.

Новые, лучшие в своем классе устройства разработаны для использования в качестве внешнего полевого транзистора в маломощных DC/DC преобразователях. Малый заряд затвора и низкий уровень рассеяния мощности делает транзисторы 606 семейства идеальным выбором для работы с различными микроконтроллерами с 5-вольтовым выходом. Все транзисторы сертифицированы по стандарту AEC-Q101, что позволяет использовать их в различных автомобильных платформах, для таких приложений, как системы контроля заряда аккумуляторных батарей электромобилей, гибридных электромобилей и гибридных электромобилей с возможностью подзарядки от электросети, а также в любых приложениях, требующих максимального уровня качества.

Читать далее »

SPV1001 — это система в корпусе для применения в фотогальванических системах, выполненная по принципу шунтирующей схемы выпрямителя с холодным стартом, работающая как диод Шоттки, но со значительно меньшим падением входного напряжения и обратным током утечки.

Схема включает силовой MPSFET-транзистор, обеспечивающий заряд конденсатора в закрытом состоянии и работу собственного затвора в открытом состоянии от заряда, предварительно накопленного на конденсаторе. Время открытого и закрытого состояний можно регулировать для снижения среднего падения напряжения на выводах стока и истока и, соответственно, снижения рассеяния мощности.

Читать далее »

15-амперный TPS56121 и 25-амперный TPS56221 преобразователи также отличаются наивысшей плотностью мощности и эффективностью в наименьшем корпусе.

Простой в использовании, 25-амперный, 14-вольтовый синхронный преобразователь TPS56221 серии SWIFT с интегрированными NexFET MOSFET-транзисторами обеспечивает на 5% большую эффективность и в 1.5 раза большую частоту переключений по сравнению с аналогичными продуктами. Плотность мощности устройства превышает 200 Вт/дюйм³ с более чем 90% эффективностью при мощной нагрузке, входном напряжении 12 В и выходном 1.3 В, обеспечивая до 25 А выходного постоянного тока с частотой переключения 500 кГц.

Новый 15-амперный, 14-вольтовый синхронный преобразователь TPS56121 обеспечивает на 3% большую эффективность при входном напряжении 5 В и выходном 1.2 В и в два раза выше скорость коммутации, чем аналогичные 15-амперные устройства.

Читать далее »

Новый n-канальный силовой (600 В, 47А ) MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO-247 и характеризуется очень малым сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора. SiHG47N60S отличается самым лучшим в своем классе значением произведения заряда затвора на сопротивление открытого канала (показатель качества).

Транзистор идеально подходит для применения в схемах инверторов и полномостовых ШИМ-управляемых топологиях инверторов солнечных батарей и ветрогенераторов, телекоммуникационного и серверного оборудования, а также систем управления мощными электроприводами.

Читать далее »

Силовой полумостовой блок MOSFET-транзисторов, выполненных по технологии NexFET^TM для построения синхронных понижающих преобразователей

Максимум эффективности, максимум частоты и плотности мощности в габаритах, вдвое меньших дискретного MOSFET-транзистора.

Выполненный по технологии NexFET^TM, силовой блок CSD86350Q5D оптимизирован для применения в составе синхронных понижающих преобразователей с высокими выходными токами, работающих на больших частотах с максимальным КПД. Блок выполнен в малогабаритном корпусе с размерами 5 мм х 6 мм. Будучи предназначенным для приложений с управляющим напряжением затвора 5 В, данный продукт является гибким решением, способным обеспечить высокую плотность мощности при 5-вольтовом парном управлении затворами от внешнего контроллера/драйвера.

Читать далее »

NCV8401/02/03/05 отличаются защитой по температуре и току и предназначены для работы в составе высоконадежных систем.

Новые драйверы представляют отличный выбор для управления резистивной, индуктивной и емкостной нагрузками в автомобильной и промышленной электронике. Дополнительными защитными функциями являются защита затвора и ограничительная защита от перенапряжений на стоке. Серия характеризуется низким сопротивлением открытого канала 23 … 165 мОм, исполнениями в корпусах SOT-223, DPAK и SO-8, максимальными токами до 33 А. Драйверы разработаны для использования в 24 В – системах, максимальное стоковое напряжение равно 42 В.

Читать далее »

Высокоэффективная силовая коммутация для устройств с жесткими требованиями по занимаемой площади печатной платы

Предполагаемая эффективность коммутации соизмерима с решением Trench 6 LFPAK от компании NXP, при этом занимаемые габариты на 60% меньше.

Меньше! Быстрее! Удобней!

Компания NXP представляет линейку высокопроизводительных MOSFET-транзисторов в диапазоне стоковых напряжений от 30 до 100 В и выполненных в корпусе QFN3333. Имея габаритные размеры всего 3.3 мм х 3.3 мм х 1.0 мм, транзисторы обеспечивают эффективность переключения, соизмеримую с транзисторами типа Trench 6 LFPAK, но в габаритах на 60% меньше. Данные компоненты идеально подходят для применений с жесткими требованиями к занимаемой площади печатной платы, а также для приложений, где требуется силовая коммутация с высоким КПД.

Читать далее »

Первый силовой MOSFET-транзистор, выполненный по технологии ThunderFET^TM, направленной на снижение сопротивления открытого канала оптимизирован под использование в составе высоковольтных устройств. Новый ThunderFET^TM-транзистор SiR880DP является первым силовым MOSFET-транзистором класса 80 В с сопротивления открытого канала, регламентируемым для сигналов управления затвором уровнями 4.5 В. Транзистор выполнен в корпусе PowerPAK® SO-8 и обладает ультранизким сопротивления открытого канала.

SiR880DP оптимизирован для применений в качестве высоковольтного ключа в составе изолированных DC/DC преобразователей для дистанционного питания телекоммуникационных узлов. Очень низкое сопротивление открытого канала обуславливает возможность получение более экологичных и энергосберегающих решений, особенно в условиях небольшой нагрузки, таких как, например, в дежурном режиме. Возможность работы с уровнями управления 4.5 В благоприятна для высокочастотных применений ввиду существенно меньших потерь мощности на управление затвором, особенно в приложениях организации питания через локальную сеть (POL, Power Over LAN) где традиционно используются низковольтные и соответственно дешевые микросхемы 5 В ШИМ-конверторов. До сегодняшнего дня параметры сопротивления открытого канала для MOSFET-транзисторов приводились только для управляющих затворных напряжений уровнями 6 В или выше.

Читать далее »

Серия NTB/P/D641x предназначена для использования в приложениях до 100 В, где необходимо низкое сопротивление открытого канала R_DS(ON).

За счет низкого значения R_DS(ON) оптимизируется производительность и продляется время жизни батарей при применении в таких сегментах устройств как импульсные источники питания (SMPS, Switch-Mode Power Supply), источники бесперебойного электропитания (UPS, Uninterruptable Power Supply) и устройства управления двигателями постоянного тока. Транзисторы выполнены в двух типах корпусов — для выводного (TO-220) и поверхностного (D²PAK/DPAK) монтажа для приложений с жесткими требованиями к занимаемой площади печатной платы. Имея напряжение пробоя 100 В, данные компоненты удовлетворяют требованиям по устойчивости к переходным процессам при сбросе нагрузки для автомобильных применений, автомобильного стандарта AECQ101.

Читать далее »