Новые полевые транзисторы представляют собой 7-е поколение устройств, выполненных по запатентованной технологии STripFET™ компании STMicroelectronics, и отличаются новой структурой затвора.

MOSFET-транзисторы STripFET™ VII DeepGATE™ серии F7 обеспечивают наименьшие потери на электропроводность, среди всех доступных на сегодня транзисторов с максимальным напряжением сток-исток 80 В и 100 В, демонстрируя при этом еще большую эффективность переключения. Помимо этого, новые устройства помогут значительно упростить схему, снизить размеры и стоимость конечного решения благодаря возможности использовать всего несколько внешних компонентов в миниатюрных корпусах.

Читать далее »

Высокоэффективный мостовой выпрямитель.

Новый модуль, содержащий четыре N-канальных PowerTrench® MOSFET-транзистора, предназначен для замены диодных выпрямительных мостов, в том числе собранных из дискретных элементов, и обладает в 10 раз меньшим выделением тепла. Транзисторы модуля поддерживают максимальное напряжение сток-исток 60 В, ток стока – 8 А с сопротивлением открытого канала 17,5 мОм.

Читать далее »

Технология корпусов для мощных силовых компонентов с низким сопротивлением открытого канала R_DS(ON).

Новые N-канальные MOSFET-транзисторы компании Fairchild Semiconductor произведены с использованием запатентованного технологического процесса Power Trench®, позволяющего минимизировать сопротивление открытого канала и обеспечить низкие потери на переключение. Кроме того, при производстве данных транзисторов применяется фирменная технология размещения кристаллов мощных силовых схем в стандартных корпусах типа PQFN размерами 5 х 6 мм, также способствующая снижению значения R_DS(ON).

Читать далее »

Этот карбид-кремниевый MOSFET-транзистор произведён на основе улучшенных материалов с инновационными свойствами широкой запрещённой зоны.

Транзистор характеризуется слабой зависимостью остаточного сопротивления канала и потерь переключения от температуры. Уникальные термические свойства карбида кремния и запатентованный корпус типа HiP247™ позволят разработчикам создавать устройства, соответствующие промышленному стандарту, но при этом обладающие повышенной термостойкостью. За счёт применения данного транзистора эти устройства будут иметь высокие КПД и плотность мощности.

Читать далее »

SiR872ADP от компании Vishay отличается от устройств предыдущего поколения на 45% меньшим сопротивлением открытого канала и малым зарядом затвора, увеличивая плотность мощности современных DC/DC преобразователей.

Сопротивление открытого кнала R_DS(ON) транзистора SiR872ADP составляет 18 мОм при напряжении V_GS = 10 В и 23 мОм при напряжении V_GS = 7.5 В, а заряд затвора всего 22.8 нКл (тип.). Столь высокие характеристики R_DS(ON) и FOM (показатель добротности) обеспечивают снижение потерь на проводимость и переключения и как следствие увеличивают КПД системы. Обеспечивая лучшую производительность, чем большинство транзисторов предыдущего поколения, SiR872ADP потенциально позволяет снизить число необходимых компонентов и сложность конечного решения.

Читать далее »

Полевые транзисторы с новой структурой затвора выполнены по технологии STripFET™ 7-го поколения компании STMicroelectronics.

Новые силовые MOSFET-транзисторы семейства STripFET™ VII DeepGATE™ от STMicro отличаются наименьшими потерями проводимости среди всех доступных сегодня 80- и 100-вольтовых устройств и увеличенной эффективностью переключения. Помимо этого, транзисторы позволяют упростить схему, снизить размеры и стоимость конечного решения, благодаря возможности обеспечить необходимую мощность и эффективность системы за счет применения всего нескольких компонентов в небольших корпусах.

Читать далее »

Сократите размеры и увеличьте эффективность вашего решения

Новое поколение силовых MOSFET-транзисторов компании Infineon на основе технологии OptiMOS™ с рабочим напряжением 40 В и 60 В оптимизированы для применения в синхронных выпрямителях импульсных источниках питания (SMPS) настольных компьютеров и серверов.

Новые транзисторы отлично подходят для широкого промышленного применения, включая схемы управления электродвигателями, инверторы солнечных панелей и высокочастотные импульсные DC/DC преобразователи. Эти 40- и 60-вольтовые устройства имеют не только самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала, но и обладают превосходными характеристиками переключения, критически важными для быстродействующих приложений.

Читать далее »

Революционное семейство силовых транзисторов CoolMOS™ задает новые стандарты энергоэффективности

Технологический лидер среди высоковольтных MOSFET-транзисторов, семейство CoolMOS™ позволяет значительно снизить потери на переключение и электропроводность, увеличить плотность мощности и КПД в высокопроизводительных системах преобразования энергии.

CoolMOS™ — история развития
Инновационная технология CoolMOS™ разрабатывалась для приложений, отвечающих всем современным требованиям по энергоэффективности и уровню энергопотребления в дежурном режиме. Так например, транзисторы CoolMOS™ используется в системах освещения и преобразователях солнечной энергии ведущих производителей, где требования по энергоэффективности являются одними из ключевых.

Читать далее »

Новый технологический процесс будет использован при производстве новейших 600-вольтовых MOSFET-транзисторов со сверхмалым сопротивлением в открытом состоянии, низкими потерями при переключении и меньшим «звоном».

Применение новой технологии Superjunction (SJ) компании Toshiba при производстве MOSFET-транзисторов для силовой электроники, основанной на разработанной раннее технологии DTMOS-IV, позволит создавать идеальные силовые ключи для основных источников питания, ламповых балластов и других силовых устройств, которые требуют сочетания высокого быстродействия, высокого КПД и низкого уровня электромагнитных излучений. Благодаря тому, что SJ MOSFET-транзисторы имеют сверхнизкое остаточное сопротивление в открытом состоянии по сравнению с кремниевыми приборами, они позволяют уменьшить размеры устройств на их основе, а также увеличить плотность монтажа без потерь мощности.

Читать далее »

Увеличение производительности серверов и персональных компьютеров ведет к росту их энергопотребления. Следствием этого является стоящая перед разработчиками задача повышения эффективности AC/DC преобразователей и увеличения их удельной мощности при одновременном снижении себестоимости.

Компания Infineon Technologies представила новое семейство силовых MOSFET–транзисторов серии OptiMOS™ с рабочим напряжением 40 В и 60 В, устанавливающих новые стандарты показателей удельной мощности, эффективности и коммутационных характеристик, позволяя разработчикам создавать блоки питания, параметры которых отвечают самым современным требованиям. Высокие рабочие характеристики новых устройств обеспечиваются благодаря снижению сопротивления канала в открытом состоянии (R_DS(ON)) на 35% и добротности (FOM, R_{DS(ON) × QG}) на 45%, по сравнению с имеющимися на рынке аналогами.

Читать далее »